2022 年 2 月 9 日，Lam Research Corp宣布推出一套新的选择性蚀刻产品，该产品应用突破性的半导体制造技术和新型化学物质，以支持芯片制造商开发环栅 (GAA) 晶体管结构。Lam 的选择性蚀刻产品组合由三款新产品——Argos®、Prevos™ 和 Selis® 组成，在先进逻辑和存储半导体解决方案的设计和制造方面提供了强大的优势。
随着现代技术和设备的不断发展，对更高设备密度以提高性能和效率的需求也在增加。为了跟上摩尔定律的步伐，芯片制造商现在正在垂直开发晶体管结构——这是一个异常复杂的工艺，需要超高选择性、精密蚀刻和均匀的各向同性材料去除，而不会改变或损坏其他关键材料层。
Lam 的选择性蚀刻解决方案提供支持先进逻辑纳米片或纳米线形成所需的超高、可调选择性和无损伤材料去除，使芯片制造商能够在 DRAM 达到其平面结构时实现从平面结构到三维结构的下一次进化飞跃缩放限制。
Lam 的选择性蚀刻产品与世界上最具创新性的逻辑和代工芯片制造商合作开发，已经在三星电子等行业领导者的晶圆厂中使用，以支持先进逻辑晶圆开发过程中的近十几个关键步骤。
三星半导体研发中心专家 Keun Hee Bai 博士表示：”半导体行业不断向更强大和更快的设备能力发展。随着器件的密度和复杂性显着增加，选择性蚀刻技术对于制造我们最先进的逻辑器件至关重要。随着全球对三星技术的需求持续飙升，我们依靠选择性蚀刻的广泛创新和能力来支持生产并加快我们的逻辑器件路线图，向高级逻辑 GAA 及更高版本迈进。”
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Argos 采用革命性的 MARS™（亚稳态活化自由基源）技术， 选择性地修饰和净化晶圆表面。其开创性的处理和调节能力使芯片制造商能够精确地处理晶圆表面，优化它们以获得最佳性能。
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Prevos 通过将新颖的化学物质和创新的蒸汽技术与灵活的温度控制相结合，实现原子层精度、对氧化物、硅和金属的超高选择性蚀刻。Prevos 利用了 Lam 开发的一种新的专有化学技术解决方案；可以添加额外的化学物质来支持芯片制造商的生产需求。
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Selis独特地采用了自由基蚀刻和热蚀刻能力，以实现超高选择性蚀刻和统一的从上到下的工艺控制，而不会损坏晶圆结构。
Lam Research 总裁兼首席执行官 Tim Archer 表示：”Lam Research 正在推动晶圆制造的进步，以支持芯片行业转向 3D 架构并使下一代数字技术成为现实。40 多年来，Lam 在蚀刻创新方面一直引领行业，我们很自豪能够延续这一传统，为当今市场上的先进逻辑和存储器提供最先进的选择性蚀刻解决方案。”
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：Lam Research 推出开创性的选择性蚀刻产品以支持芯片 3D 架构开发
