半切工艺是HTCC管壳的一项核心工艺,因其影响到后续的电镀、钎焊、切割等工序,在管壳项目中起到了关键作用。传统的半切工艺采用热切机进行,在半切过程中易产生移位,腔体变形等现象,针对紧密排版,小尺寸,深腔体产品,近日,中国电科第二研究所微电子应用事业部开发了激光半切工艺。
激光半切工艺以张伟和项目负责人马其琪牵头,成立半切攻克小组,集中解决HTCC管壳半切问题。马其琪负责对半切工艺进行探索,调节合适的参数进行工艺试验,张伟负责对半切后的样品进行后续的验证和反馈。经过反复试验和验证,最终确定了以激光半切补充热切半切的半切方式。试验结果表明,在保证整个过程位置精度的同时,能同时满足半切精度和平整度的要求。半切后的产品经过烧结,能够顺利裂片,且断面平整,能够满足HTCC管壳产品的要求。
HTCC管壳激光半切工艺的突破,无论从硬件成本、人工成本原材料节约成本还是工艺效果上,均较固有的热切工艺有了明显的提高,对传统的热切工艺形成一个有效的补充,也是“HTCC管壳生产线建设”项目顺利推进的重要技术保障。
原文始发于微信公众号(艾邦陶瓷展):中电科二所成功突破HTCC管壳激光半切工艺