红旗首款全国产塑封2in1碳化硅功率模块A样件完成试制

近日，红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部与中国电子科技集团第55研究所联合开发的红旗首款全国产电驱用1200V塑封2in1碳化硅功率模块A样件试制完成，达成电驱用碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化，打破了国际芯片垄断，标志着红旗品牌引领行业向着自主掌控功率半导体核心技术迈出高质量发展步伐，为当前普遍缺货的汽车半导体市场注入了一剂有力的强“芯”针。

 ▲1200V碳化硅晶圆

 ▲塑封2in1功率模块A样件

碳化硅功率半导体凭借其耐高压、低损耗、耐高温、高频化等材料优势，成为实现新能源电驱系统行业领先的核心路径。然而由于受制于技术壁垒，国内电驱用碳化硅功率半导体仍处于起步阶段，从原材料制备、芯片设计与封装开发到工艺生产仍然掌握在少数国外企业手中，因此红旗品牌主导引领，以央企合作的模式，实现碳化硅技术“黑转白”，达成了关键核心技术自主掌控。

 ▲碳化硅晶圆生产线

功率电子开发部围绕新结构、新工艺、新材料方面开展自主技术攻关，真正实现了芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主可控，技术水平国内领先、国际先进。

• 低损耗、高可靠功率芯片

应用高密度高可靠元胞结构、芯片电流增强技术、高可靠碳化硅栅氧制备工艺、精细结构加工工艺等，碳化硅芯片比导通电阻达到3.15mΩ·cm2，导通电流达到120A，技术指标达到国际先进水平。

▲功率模块热仿真示意图

• 低杂感、高性能功率模块封装

创新应用行业领先的三端子母排叠层结构、高可靠铜线互联技术与高散热椭圆PinFin散热水道，配合大尺寸环氧树脂转模塑封与高耐温银烧结芯片贴装工艺，实现模块寄生电感≤6.5nH，模块持续工作结温175℃，输出电流有效值达到550A。