近日，金冠电气股份有限公司（股票代码：688517）发布2022年年度报告，报告显示，金冠电气开展陶瓷基板的研发，聚焦大功率 IGBT 用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板(DBC、AMB)，目前已组建研发团队，搭建了研发平台，开始进行开发实验和小样试制。
根据年报资料显示，金冠电气陶瓷基板在研项目研发资金200万元，目标是开发出热导率 180W/mK，抗弯强度 350MPa，达到综合性能达到国内先进水平的陶瓷基板，应用于大功率半导体器件封装行业。
新能源产品中的充电桩、逆变器和储能变流器需要大量的功率电子器件特别是 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。陶瓷基板因载流量大、耐高温、导热性好及热膨胀系数与半导体芯片更匹配等优异性能，在功率电子器件特别是 IGBT 的封装中得到了广泛的应用。陶瓷基板的基材主要有氧化铝、氮化铝和氮化硅，覆铜工艺主要有直接镀铜法(DPC)、直接键合法(DBC)活及性金属钎焊法(AMB)。目前国内中高端陶瓷基板基本依赖进口。
金冠电气是一家专业从事输配电及控制设备研发、制造和销售的国家级高新技术企业，主要为用户提供交、直流金属氧化物避雷器及智能配电网系列产品。陶瓷基板为公司新拓展业务。
来源：金冠电气年报
原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：金冠电气IGBT用陶瓷基板(DBC/AMB)已开始进行开发实验和小样试制
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