近日，深圳后浪实验室利用自主研发的直接溅射陶瓷基板（Direct Sputtering Ceramic Substrate，DSC）首次完成曝光、显影、蚀刻等工艺实现IGBT线路双面刻蚀，制备的IGBT基板铜层厚度达300微米，相对活性钎焊基板（AMB）、直接键合基板（DBC），DSC基板具有附着力更强、致密度更高的优势。
DSC基板是通过实验室自主研发的持续高功率磁控溅射技术直接在陶瓷基板表面溅射沉积铜金属层到所需厚度（0.3mm）的新型陶瓷基板制造方法，通过金属层设计可实现铜层与陶瓷基板的可靠结合。这种直接溅射制作覆铜板的方法完全在真空系统中完成，有效避免传统DBC、AMB陶瓷基板制造过程中的环境污染、附着力不强、高温导致的致密度不足等问题，可显著提高陶瓷基板的结合强度、致密度以及导电性。同时，DSC制备工艺简单可控，可以同时适用于氧化铝、氮化铝、氮化硅等多种陶瓷基板，避免多种材料、工艺或装备的重复开发和重复建设问题，有望降低陶瓷基板的制造成本。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：深圳后浪实验室直接溅射法300μm陶瓷基板首次完成高性能IGBT线路刻蚀