近日，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。此标准由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司主导编写，由中国科学院半导体研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、Wolfspeed等十二家单位参与编写，历时近三年时间。
国际半导体产业协会（SEMI）是全球性的产业协会，致力于国际标准的制定，SEMI积极促进微电子、平面显示器及太阳能光电等产业供应链的整体发展，代表着全球各地产业的呼声和需求，是行业发展趋势的风向标。
SEMI全球已成立了21个标准委员会及200多个工作小组为推动全球产业标准的制定贡献力量。目前SEMI国际产业标准已有50年的发展历史，已经制定了高达1077项、21大类的标准及安全相关准则，并广为全球IDM厂、晶圆厂、封装测试厂等应用。
《4H-SiC同质外延片标准》这一国际标准的发布实施，将在规范国际碳化硅半导体外延行业有序发展，降低国际贸易协作成本，加速新技术在全球的推广等方面具有深远的意义。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：全球首个碳化硅半导体外延晶片SEMI国际标准正式发布