干法刻蚀（Dry Etching）是使用气体刻蚀介质。常用的干法刻蚀方法包括物理刻蚀（如离子束刻蚀）和化学气相刻蚀（如等离子体刻蚀）等。
与干法蚀刻相比，湿法刻蚀使用液体刻蚀介质，通常是一种具有化学反应性的溶液或酸碱混合液。这些溶液可以与待刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀。硅湿法刻蚀是一种相对简单且成本较低的方法，通常在室温下使用液体刻蚀介质进行。
然而，与干法刻蚀相比，它的刻蚀速度较慢，并且还需要处理废液。每个目标物质都需要选择不同的化学溶液进行刻蚀，因为它们具有不同的固有性质。例如，在刻蚀SiO2时，主要使用HF；而在刻蚀Si时，主要使用HNO3。因此，在该过程中选择适合的化学溶液至关重要，以确保目标物质能够充分反应并被成功去除。
“各向同性”和“各向异性”
在介绍湿法蚀刻和干法蚀刻的区别时，必不可少的词是“各向同性”和“各向异性”。各向同性是指物质和空间的物理性质不随方向变化，各向异性是指物质和空间的物理性质随方向不同而不同。各向同性蚀刻是指在某一点周围蚀刻进行相同量的情况，各向异性蚀刻是指蚀刻在某一点周围根据方向不同进行的情况。例如，在半导体制造过程中的刻蚀中，往往选择各向异性刻蚀，以便只刮削目标方向，而留下其他方向。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：干法刻蚀与湿法刻蚀的区别