1.上汽发布智己 LS6：首款搭载准 900V 双碳化硅高性能平台
在8月25日-9月3日举行的 2023 第二十六届成都国际车展上，上汽集团旗下智己汽车发布全新高端纯电 SUV——智己 LS6。新车是首台搭载“准 900V 双碳化硅高性能平台”的车型，其最大工作电压 875V，额定电压 751V，采用高性能双碳化硅功率模块&定制陶瓷轴承，零百加速 3.48s，最高时速 252km/h。
2.长飞先进半导体武汉基地开工，总投资预超 200 亿
9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在光谷科学岛圆满举行。长飞先进半导体武汉基地位于光谷科学岛，项目总投资预计超过 200 亿元。其中，项目一期总投资 100 亿元，可年产 36 万片 SiC MOSFET 晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计 2025 年建设完成，届时将成为国内最大的 SiC 功率半导体制造基地，公司产能规模将居行业绝对领先地位。
3.臻驱科技获得沃尔沃汽车科技基金 C+ 战略投资
9月4日，臻驱科技官微表示获得沃尔沃汽车科技基金（Volvo Car Technology Fund AB）的战略投资。根据协议内容，沃尔沃汽车科技基金参与臻驱科技的 C+ 轮融资，该笔投资交易已于近期完成。
此前，臻驱科技和沃尔沃汽车围绕下一代碳化硅（SiC）技术开发进行了深入的讨论，双方合作将主要围绕碳化硅功率模块及电控整机的应用展开，此次投资契合了双方在新能源汽车电驱动领域深化合作的一致愿望。
4.日本采用新工艺将 SiC 晶圆制造成本降低 30%
9月6日，据日刊工业新闻报道 Dry Chemicals 开发出一种工艺可以将功率半导体材料碳化硅（SiC）晶圆的制造成本降低 20-30%。
该工艺在晶锭上进行凹槽加工，使晶圆切片更平整，减少了晶圆表面研磨、抛光等后处理所需的步骤。该公司将于 10 月份开始晶圆代加工和制造设备对外销售，预计第一年销售 5 至 10 台设备。
5.三安半导体首发亮相8英寸碳化硅衬底
9月6-8日，三安半导体在 SEMICON Taiwan 2023 展会上亮相碳化硅全产业链产品，推出 650V-1700V 宽电压范围的 SiC MOSFET，并首发适用于电力电子的 8 英寸碳化硅衬底。
三安半导体此次展出的关键产品性能达到国际领先水平。湖南三安半导体是国内为数不多的碳化硅垂直整合制造平台，可提供从晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程到封装测试的全产业链制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控。
6.国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工，突破6英寸碳化硅MOSFET量产
9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在江宁开发区举行。会上，国家第三代半导体技术创新中心（南京）宣布一期项目竣工投产。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目依托55所原有11#厂房区域，“以存量带增量”的方式，打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台，国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成成套具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。据了解，二期项目计划于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。
7.乾融园丰基金完成对凌锐半导体 Pre-A 轮领投融资
9月7日，乾融控股旗下乾融园丰基金已完成对凌锐半导体（上海）有限公司（以下简称“凌锐半导体”）Pre-A 轮融资的领投，将继续拓展延链第三代半导体领域的产业生态投资布局。
凌锐半导体成立于 2022 年，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）车规级和工业级芯片研发与销售的高科技公司，设有中国与欧洲两个研发中心，核心团队由来自于原英飞凌（Infineon）、科锐（CREE Wolfspeed）、UnitedSiC Rugters 实验室、意法（ST）、安森美（Onsemi）核心功率器件团队的海归与外国专家组成，具备深厚的功率器件开发和量产经验。已与上下游产业链建立了深入的合作关系，相继推出了多款高性能碳化硅 MOS 芯片，并有多款通过大客户验证，包括 1200V/80mΩ，1200V/35mΩ，1200V/16mΩ 等，可用于光伏储能充电桩以及电动汽车等。
8.晶能 SiC 半桥模块试制成功
9月8日，晶能首款 SiC 半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。该模块电气设计优异，寄生电感 5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺，持续工作结温达 175℃，在 800V 电池系统中输出电流有效值高达 700Arms。
晶能 SiC 半桥模块
此次 SiC 半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品，涵盖 750V/1200V 耐压等级，至多并联10颗 SiC 芯片，可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。
9.美林电子发布 IGBT 芯片模块新产品，并与多单位签订合作协议
9月8日，美林电子 IGBT 芯片模块新产品发布会在淄博举办，会上该公司介绍了 1700 伏系列新品，新产品采用国际领先工艺，在第六代 IGBT 芯片基础上进行多项优化设计，增加了电流可控性和短路稳健性，可够应用于风力发电和储能及工控领域。这是国产中高压 IGBT 又一里程碑式的进步。
在发布会上，美林电子还与新风光电子、临工重机、山东大学、山东舜恒私募基金、上海兆昂投资中心、建设银行淄博分行、民生银行淄博分行等单位集中签订合作协议。
10.高测股份助力国产碳化硅进击 8 英寸
9月15日，据高测股份官微消息，高测股份 8 英寸碳化硅金刚线切片机再拿新订单，截至目前累计签单数已破双，基本覆盖新增 8 英寸金刚线切片产能需求。高测股份将金刚线切割技术引入 8 英寸碳化硅领域，对比砂浆切割产能提升 118%，成本降低 26%，目前已获得国内头部碳化硅衬底企业的高度认可，收获批量订单。
高测股份成立于 2006 年，2020 年科创板上市，聚焦高硬脆材料切割领域，金刚线专业切割十行百业。目前，该公司将金刚线切割技术成功应用于光伏、半导体、碳化硅、蓝宝石、磁性材料等行业。
11.小鹏 2024 款 G9 上市，搭载 800V 高压碳化硅平台
9月19日晚，2024 款小鹏 G9 正式上市，新款 G9 依托扶摇架构，全系标配 XNGP 全场景智能驾驶座舱，搭载全域 800V 高压碳化硅平台，支持超快充电，10%-80% 只要 20 分钟。纯电续航分为 570 公里、650 公里及 702 公里，四驱版车型零百加速 3.9 秒。
截至目前为止，9 月新上市的车型中除了小鹏新款 G9，采用了碳化硅器件的还有上汽智己 LS6、极氪 001 FR、零跑 C10、广汽埃安昊铂 GT、奔驰 CLA 级概念车、以及预计 10 月份正式上市的合创 V09 等。
12.安建首发七层光罩 12 英寸第七代 IGBT
9日20日，安建科技官微表示近期已将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT 加工平台。安建科技是国内首家推出基于 7 层光罩工艺的 12-inch 第七代 IGBT 的国产厂家，早于 2019 年即在国内顶尖 8-inch 晶圆厂成功开发并量产了仅采用 7 层光罩工艺的第七代沟槽-场截止 IGBT 技术，是国内第一家量产第七代 IGBT 的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。
图 安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆
13.中科汉韵成功交付超 500 片新能源车用主驱 SiC MOSFET 晶圆
9月20日，中科汉韵半导体官微表示已成功交付超 500 片车规级 SiC MOSFET 晶圆。该产品包括 1200V/17mohm、750V/13mohm 两种型号产品，主要应用于电动汽车的主驱系统。
中科汉韵成立于 2019 年，是由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资的半导体芯片设计和制造企业。中科汉韵聚焦于第 3 代半导体 SiC MOSFET 芯片的研发、生产和销售，同时设计和生产与之相配的 SiC 二极管（JBS），在其工厂完成芯片生产，于 2021 年 5 月 SiC 功率器件项目正式通线。中科汉韵于今年开始批量交付车规级 SiC MOSFET 晶圆产品，良率达到 70% 以上。
14.中国平煤神马高纯碳化硅粉体项目试生产
9月21日，中国平煤神马年产 2000 吨电子级高纯碳化硅粉体项目试生产启动仪式举行。该项目填补了河南省第三代半导体碳化硅产业空白，项目全部建成后，产能将居全国第一。
15.优晶光电 | 大尺寸高质量SiC晶体电阻法生长设备项目科技成果鉴定会顺利召开
9月23日，苏州优晶光电科技有限公司召开《大尺寸高质量SiC晶体电阻法生长设备项目科技成果鉴定会》。会上对由优晶光电完成的《大尺寸高质量SiC晶体电阻法生长设备》项目科技成果进行鉴定。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：9月 IGBT，SIC 最新资讯汇总
