目前 IGBT/SiC 发展方兴未艾，前景广阔，成为各行各业尤其是新能源等方向的发展新风口。据小编统计，仅在10月，已有三安光电、科友半导体、欣锐科技、凌锐半导体、基本半导体、安世半导体、京瓷、东芝、意法半导体、安森美等 30 余家企业通过投融资并购、签署合作订单、项目签约及开工投产、发布新品新技术等方式在 IGBT/SiC 方面助力第三代半导体发展。其中 7 家企业通过投融资助力，8 家企业签署合作订单、8 家企业有项目签约或开工投产、10 家企业发布推出相关新品。
3）相干公司碳化硅半导体业务将获得 DENSO 和三菱电机 10 亿美元的投资
5）德智新材完成数亿元战略融资，助力碳化硅部件国产替代
1）安世半导体与京瓷 AVX合作生产650 V 碳化硅整流器模块
4）赛米控丹佛斯与SK Inc. 签署SiC合作协议
1）顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约
3）杰平方半导体拟69亿元在香港设立碳化硅8寸先进垂直整合晶圆厂
4）芯未半导体年产6万片IGBT芯片一期项目全面通线投产
7）安森美韩国碳化硅工厂扩建正式落成，8英寸晶圆年产能上限将突破100万片
5）宏微科技IGBT模块产品已完成问界新款车型主驱产品定点验证测试
6）凌锐半导体推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS
7）罗姆新增SiC和IGBT模型，可提供超过3,500种LTspice®模型
10）意法半导体新品车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
10月8日，忱芯科技（UniSiC）宣布已于近日完成亿元战略融资，本轮融资由火山石投资、华润旗下润科基金、老股东武岳峰科创联合投资，融资资金将主要用于忱芯科技前瞻产品的研发，以及量产产品的全球化布局。
10 月 9 日，臻驱科技宣布完成D轮超6亿元人民币融资。该轮融资由君联资本和元禾辰坤联合领投，C资本、新尚资本、华泰宝利投资、敦成投资、九颂繁星、奥飞娱乐创始人兼总裁蔡晓东等多家头部投资机构共同参与投资。此次融资将主要用于业务爆发阶段的运营现金流补充，产能扩建，研发下一代功率模块、功率砖和碳化硅技术。
过去1个月，臻驱科技相继完成了 C+轮沃尔沃汽车科技基金（Volvo Car Technology Fund AB）战略融资和D轮融资。至此，年内已获得包括产业资本、私募股权投资、国有投资平台、保险资金等各类投资人的支持与认可。
3.相干公司碳化硅半导体业务将获得DENSO和三菱电机10亿美元的投资
10月10日，日本电装株式会社及三菱电机株式会社宣布向美国光电子产品生产商相干（Coherent）的碳化硅业务独立子公司分别投资5亿美元，各获得12.5%的非控股权益。电装与三菱电机将向这家公司采购150mm和200mm碳化硅晶圆。
根据交易条款，电装和三菱电机将各投资5亿美元，以获得Coherent 碳化硅业务12.5%的非控股所有权，Coherent 拥有剩余75%的所有权。在交易完成之前，Coherent 将把SiC业务剥离出来，成立新的子公司独立运营，子公司由碳化硅功率器件和模块领域的2大领先企业电装和三菱电机进行战略投资。
10月19日，长沙安牧泉智能科技有限公司宣布已于近日顺利完成超4亿元C轮融资。本轮融资由湘江国投、华金资本领投，联想创投联投，深投控资本、长江资本、深圳智慧城市产投、东方富海、苏州乾融资本跟投。本轮融资募集资金，将主要用于公司3万平米二期基地的扩产建设，以及先进封装技术的研发创新，更好满足国内高端芯片客户不断增长的需求。
5.德智新材完成数亿元战略融资，助力碳化硅部件国产替代
10月27日，湖南德智新材料有限公司表示已于近日完成数亿元人民币的战略融资，此次融资将主要用于德智新材株洲、无锡两地产能扩建与研发投入，助力国产替代。
目前，德智新材已开发LED外延设备用组件、三代半外延设备用组件、硅基外延设备用组件、SiC刻蚀环、SiC晶舟等一系列半导体用SiC部件制品。其中，德智新材在12寸大硅片外延用SiC涂层石墨盘、实体SiC刻蚀环产品实现技术突破，成为国内极少具备量产能力的领先企业。
10月30日，中瑞宏芯半导体宣布于近日完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆领头公司禾迈股份（股票代码688032）和头部汽车电子供应商纳芯微（股票代码688052）联合投资。本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产运营及市场拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半导体行业的核心竞争力。
10月30日，特思迪宣布完成B轮融资，本轮融资将进一步推动特思迪在技术突破、产能扩充、产品研发、产业布局、人才引进等关键环节的发展进程，加快8寸碳化硅等半导体材料磨抛设备国产化。
1.安世半导体与京瓷 AVX合作生产650 V 碳化硅整流器模块
10月4日，半导体专家 Nexperia（安世半导体）宣布与国际领先的先进电子元件供应商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作伙伴关系，合作生产新型 650 V 20 A 碳化硅 (SiC) 整流器模块，用于从 3 kW 到 11 kW 功率堆栈设计的高频功率应用、工业电源、电动汽车充电站和车载充电器等应用。此次联手将进一步深化两家公司之间现有的长期合作伙伴关系。安世半导体预计新型 SiC 整流器模块的样品将于 2024 年第一季度提供。
10月8日，芯塔电子（安徽芯塔电子科技有限公司）宣布与南京博兰得电子科技有限公司在器件供应、市场拓展、应用开发、技术创新、资源整合等方面合作达成一致，共同签署战略合作协议。芯塔电子SiC MOSFET已批量出货南京博兰得20KW直流充电模块产品。基于博兰得专利技术，该产品采用SiC方案后，可做到全范围高效输出，峰值效率可达97.5%，平均满载效率高于96%，领先业界平均水平2%。
10月11日， 欣锐科技（深圳欣锐科技股份有限公司（300745.SZ））宣布与ST Microelectronics卡塔尼亚公司双方高层会晤并展开深度交流，此次交流将涉及从设计初期就开发创新的车载充电机OBC系统解决平台方案，双方达成一致并展开深度战略合作。
欣锐科技是全球最早实现碳化硅并批量交付的企业之一，第三代半导体SiC MOSFET应用的全球领航企业，开发的碳化硅双向OBC产品出货量已过百万件。ST是欣锐科技的半导体供应商，早在2015年双方就展开了合作，一直保持着友好稳定的合作关系。
4.赛米控丹佛斯与SK Inc. 签署SiC合作协议
10月24日，SK Inc. 与赛米控丹佛斯签署协议，探讨合作方案，聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，并将在近期成立联合工作组（TF）。SK集团方面表示，与赛米控-丹佛斯的签约有助于加强SK Chemicals子公司（包括SK Siltron 和SK powertech）之间的协同效应，并探索加强碳化硅领域竞争力的方法。
10月28日，赛米控丹佛斯宣布已与韩国 SK 集团的控股和投资公司 SK Inc. 签署谅解备忘录 (MOU)，将共同致力于推进技术和解决方案以应对影响当今世界的五个全球大趋势：气候变化、城市化、数字化、电气化以及食品和水供应。
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1.顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约
10月7日，石峰融媒发布表示株洲市石峰区已于近日举行顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约仪式。项目位于田心高科园，主要生产工业调频、充电桩、储能逆变、光伏/风力发电用IGBT模块等。该项目总投资7.5亿元，预计在今年年底启动建设，明年上半年正式投产，建成达产400万个IGBT模块及100万个SiC模块，预计年产值8亿元，带动就业400人。
10月12日，乾晶半导体（衢州）有限公司碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶仪式在智造新城东港八路78号一期地块隆重举行。施工单位中电二公司和乾晶半导体项目团队仅用4个月中试车间金顶就顺利完工，为接下来的洁净间机电安装、设备搬入和生产线调试奠定了坚实基础。
3.杰平方半导体拟69亿元在香港设立碳化硅8寸先进垂直整合晶圆厂
10月13日，香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，总投资额预计达到69亿元。预计至2028年，可年产24万片8寸碳化硅晶圆，每年生产总值达110亿元，创造逾700个职位。
祈4.芯未半导体年产6万片IGBT芯片一期项目全面通线投产
10月13日，成都高投芯未半导体有限公司一期通线仪式顺利举行，标志着芯未一期项目全面通线投产，芯未半导体项目推进迈出关键一步。本次通线投产后，将形成约6万片/年IGBT晶圆（折合8寸）、120万只/年功率模块生产能力。
10月19日，正齐半导体年产六万颗高阶功率模块研发生产项目在杭州萧山经济技术开发区举行签约仪式，该项目将在开发区投资建设第三代半导体模块工厂。
项目首期投资3000万美元，总投资额将达10亿元人民币，规划建设10条智能化模块封装生产与组装线，满足车规级与航天级的模块生产线要求，每年将生产6万颗高端航天及车规级IGBT与碳化硅芯片、模块及器件等产品。目前，该项目已经开始装修设计阶段，预计于2024年中旬投产通线，达产后每年产值约5亿元，二期总达产后年产值约25-30亿元。
10月23日，三安光电旗下湖南三安披露已实现8英寸衬底准量产，产品进入小批量生产及送样阶段，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。9月初，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展会上首发8英寸SiC碳化硅衬底，正式跻身国内8英寸衬底阵列。
碳化硅MOSFET方面，该公司推出的650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品均已处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。此外，湖南三安与意法半导体在重庆设立的三安意法半导体（重庆）有限公司，承建的8英寸SiC器件厂项目前期相关审批事项已成功获批，各项工作有序推进，预计2025年完成阶段性建设并投产，2028年实现达产。作为配套，三安未来也将独立建造及运营一个8英寸SiC衬底厂。
7.安森美韩国碳化硅工厂扩建正式落成，8英寸晶圆年产能上限将突破100万
10月24日，安森美（onsemi）宣布其位于韩国富川的先进碳化硅 (SiC) 超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片 200 mm SiC 晶圆。
新的 150 mm/200 mm SiC 先进生产线及高科技公用设施建筑和邻近停车场于 2022 年中期开始建设，并于 2023 年 9 月竣工。150 mm/200 mm SiC 外延 (Epi) 和晶圆厂的扩建，体现了安森美致力于在棕地（既有地点）建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川 SiC 生产线目前主力生产 150 mm 晶圆，在 2025 年完成200 mm SiC工艺验证后，将转为生产 200 mm 晶圆。
10月27日，赛晶科技旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司第二条IGBT封装测试线正式投产。
赛晶半导体第二条封装测试线的批量投产将进一步增加生产能力，以ED模块为例计算，年产能由30万件增至70万件。第二条封装测试线可以生产ED封装、ST封装，及EVD封装等多个型号的IGBT封装产品，将有效满足市场对高端IGBT封装产品的需求。
10月17日，英飞凌工业半导体发布用于工业硬开关应用的大功率IGBT单管新品1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7。该系列新增两款采用TO-247-3和-4的120A新产品，应用领域：太阳能系统解决方案、不间断电源(UPS)、电动汽车充电、工业加热和焊接电源。
10月19日，发布新品300A 1200V IGBT7三相桥EconoPACK™3。采用TRENCHSTOP™ IGBT7技术的新品模块具有同类产品最高的功率密度和最佳的电气性能，可以减小系统尺寸或增大功率，应用于工业电机驱动和控制和伺服电机驱动和控制等领域。
10月24日，发布20-40A 1400V R5L逆导型IGBT新品，优化了二极管和IGBT的性能，具有更高的阻断电压和集电极峰值电流能力，感应加热设备可以实现更高的效率、更高的可靠性和精确的系统控制，在价格和性能之间实现了更好的权衡。
10月17 日， 东芝半导体宣布其碳化硅MOSFET产品已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。
东芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款产品，包括5款1200V和5款650V产品。与第2代产品一样，这些新一代MOSFET内置了与碳化硅MOSFET内部PN结二极管并联的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD），从而提高了可靠性。东芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET拥有更低的功耗，适用于大功率且高效、高功率密度的各类应用，如开关电源（数据中心、服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
10月16日，科友半导体宣布首批自产8英寸SiC衬底于2023年9月在科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线。
此前，4月科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，6月表示已突破了8英寸SiC量产关键技术，其8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。
10月17日，翠展微电子推出TPAK封装产品，有标称340A/750V的IGBT模块，预计今年年底会推出具有更高电流能力的400A/750V的升级产品，同期也将推出5.5mΩ/1200V 的SiC 模块，届时，此封装系列的产品可广泛应用与新能源电驱系统及高压大功率充电系统领域。
5.宏微科技IGBT模块产品已完成问界新款车型主驱产品定点验证测试
10月17日，宏微科技回应投资者在互动平台向其的提问时表示：公司IGBT模块产品已完成赛力斯汽车问界新款车型主驱产品定点验证测试，后续将根据客户需求逐步批量交付，具体合作细节涉及保密条款公司不方便透露。
江苏宏微科技股份有限公司成立于2006年8月8日，2021年9月1日成功上市，宏微科技公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种。
6.凌锐半导体推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS
10月18日， 凌锐半导体宣布正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。凌锐表示新品SiC MOS已达量产阶段，并在Q4实现客户端批量交货。
7.罗姆新增SiC和IGBT模型，可提供超过3,500种LTspice®模型
10月18日，罗姆宣布（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice®的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%，有助于客户利用嵌入了功率元器件等分立产品的电路仿真工具来提高设计便利性。
10月18日，宇晶股份宣布12月即将上线SP15008寸碳化硅专用四动作高精密磨抛设备新品。湖南宇晶机器股份有限公司成立于1998年，公司于2018年11月29日在深交所上市，是一家专注光伏新能源半导体及消费电子行业的智能装备制造企业。公司主要从事多线切割机、研磨抛光机等硬脆材料加工装备、金刚石线、热场系统系列产品的研发、生产和销售。
10月26-27日，基本半导体总经理和巍巍博士在2023基本创新日活动会上正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。
10.意法半导体新品车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
10月30日，意法半导体发布ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅（SiC）功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机（OBC）、DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
新模块内置1200V SiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(on)。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN) 绝缘基板，在封装内还有一个NTC温度传感器。本次推出的 M1F45M12W2-1LA是ACEPACK DMT-32系列的首款产品，从2023 年第四季度开始量产。M1F80M12W2-1LA、M1TP80M12W2-2LA、M1P45M12W2-1LA、M1P80M12W2-1LA、M1P30M12W3-1LA 样片现已上市，从2024年第一季度开始量产。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：10月 IGBT/SiC 最新资讯汇总
