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高纯氧化铝及球形氧化铝粉
(1)高纯氧化铝(4N):纯度≥99.99%,比表面 3~5m²/g,D500.5~20μm;
(2)高纯氧化铝(5N):纯度≥99.999%,比表面:1.7m²/g,D50:5μm,松装密度:0.27g/cm³,平均孔径:10.5nm;
(3)球形氧化铝粉:Al2O3≥99.7%,SiO2≤0.03%,Fe2O3≤0.03%,Na2O≤0.02%,EC≤10μs/cm,含湿率≤0.03%,真实密度 3.85±0.1g/cm³,球化率>90%,白度≥90;
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氮化铝粉体、陶瓷件及基板
(1)高纯氮化铝粉体:氧含量<0.8wt.%;碳含量<350ppm;铁含量<10ppm,硅含量<50ppm,钙含量<200ppm;比表面积 ≥2.5m²/g。
(2)氮化铝陶瓷件:热导率≥180W/(m·K);抗弯强度≥350MPa;电阻率≥1014Ω·cm。
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氮化硅基板
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氮化硅陶瓷轴承球
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氮化硼承烧板
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电子级超细高纯球形二氧化硅
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喷射成型耐高温耐腐蚀陶瓷涂层
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陶瓷基复合材料
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高性能陶瓷基板
(1)高光反射率陶瓷基板:可见光反射率≥97%,抗弯强度≥350MPa,热导率≥22W/(m·K);
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高性能水处理用陶瓷平板膜材料
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片式电阻器用电阻浆料
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半导体装备用精密陶瓷部件
(1)刻蚀装备用碳化硅电极:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm³,硬度>29GPa,电阻率 0.005~80Ω·cm;
(2)刻蚀装备用碳化硅环:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm³,硬度>29GPa;
(3)刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件:密度≥3.15g/cm³;热导率(RT)≥27W/(m·K);热膨胀≤3.5×10-6/K;抗弯强度≥550MPa;平均粒度≤4μm;韦伯模量≥9;关键尺寸精度±0.02mm;表面0.3~5μm,尺寸颗粒≤5000count/cm³,表面有机物≤0.1μg/cm²;
(4)6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟:密度≥3.1g/cm³,导热系数≥160W/(m·K),纯度≥99.9%,抗弯强度≥370MPa;
(5)6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅舟:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1,密度≥3.2g/cm³,硬度>29GPa;
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电子封装用热沉复合材料
(1)WCu:熔渗态密度≥11.6g/cm³,CTE6.5~13.5ppm/K,TC165~290W/m·K;
(2)MoCu:轧制退火态密度≥9.2g/cm³,熔渗态密度≥9.1g/cm³,CTE6.5~13.5ppm/K,TC155~210W/m·K;
(3)CMC:CTE7~10ppm/K,TC150~300W/m·K;
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高容及小尺寸MLCC 用镍内电极浆料
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片阻用高精度低阻阻浆
金属粉:银钯含量 55±10%,粘度250±50Pa·s/25℃(BROOKFIELD 粘度计,CP52 转子,2.0PRM),细度 90%处≤5μm,第二条线≤7μm;
电性能:方阻:8~10Ω,TCR<100PPM;方阻:800~1000mΩ,TCR<100PPM;方阻:90~100mΩ,TCR<100PPM;方阻:10~20mΩ,TCR<400PPM;各相邻方阻可以互相混配;
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5G 滤波器专用浆料
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第三代功率半导体封装用 AMB 陶瓷覆铜基板
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高可靠性封装的金锡合金
(1)用于高可靠性封装的金锡合金预成形焊片:成分:金锡合金,Au 质量分数 78~80%;厚度≥7μm;长宽最小尺寸 0.2mm;熔化温度(℃):280±3;焊接空洞率:≤3%;
(2)用于先进封装的金锡合金焊膏:焊粉成分:金锡合金,Au 质量分数 78~80%;粘度(Pa·s):10-300;熔化温度(℃):280±3;焊粉粒径:5-45μm;含氧量≤50ppm,不含卤素;
(3)用于高可靠气密性封装的预置金锡盖板:焊料成分:金锡合金,Au 质量分数 78~80%;焊料熔化温度(℃):280±3;盖板镀层:六面镀镍金,镀层厚度 Ni(1.27~8.9μm)/Au(0.65-5.7μm);耐盐雾:≥24H。
《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024年版)》(征求意见稿):https://www.miit.gov.cn/gzcy/yjzj/art/2023/art_344c36506cba4039ba9aee420b98f79f.html
原文始发于微信公众号(艾邦陶瓷展):工信部公开征求《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024年版)》意见,18种先进陶瓷产业链产品在列
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