近日，瑶光半导体激光退火设备经客户新产线调试验证，确认符合量产要求。良率超过预期，顺利通过验收！
该设备已在客户新产线投入生产使用，该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，同时包括“10万片碳化硅外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。
瑶光半导体自主研发的SiC/Si基激光退火设备，广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多个工艺。其微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及出色的光学整形装置，为晶圆的退火工艺提供了高效的解决方案。
本次设备验收，标志着“瑶光半导体激光退火项目”通过了开发流程ESDP的最后一个里程碑（PP阀点）。从设备产业化的维度，进一步验证了ESDP正向开发流程的有效性和可靠性。同时，也为瑶光半导体MOCVD和RTP快速退火等新项目的正向开发提供了可靠的研发理论基础。后续，公司将不断加大在研发方面的投入，助力实现我国在半导体事业“弯道超车”的目标。
关于瑶光半导体Company information
瑶光半导体(浙江)有限公司，成立于2023年4月，产研基地位于浙江湖州。公司专注于半导体先进制程设备正向研发。致力于成为半导体产业先锋，赋能半导体产业国产化。目前，产研基地二期工厂建设中，上海研发及市场中心计划年内落成。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：瑶光半导体激光退火设备通过验收！计划年产一亿颗功率芯片
