11月28日，晶升股份宣布，公司总部生产及研发中心项目完成封顶。
晶升股份表示，“总部生产及研发中心建设项目”是公司在现有主营业务的基础上实施产能扩充，同时进行晶体生长设备和长晶工艺的技术研发与升级，加快研发成果产业化，助力公司拓宽产品线，从而更好地满足客户需求。
据悉，“总部生产及研发中心建设项目”拟建设于江苏省南京市南京经济技术开发区，拟投资额2.7亿，该项目计划于2022年开始建设，2025年年初投产，项目达产后可实现各类晶体生长设备年产量400余台。项目计划主要涵盖的研发内容为：半导体硅NPS晶体单晶炉研发、6-8英寸碳化硅单晶炉研发以及温度梯度可控单晶炉加热及控制系统研发。
资料显示，晶升股份成立于2012年2月，是一家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业，在今年4月成功登录科创板，募集资金总额达11.25亿元，其中一部分就用于总部生产及研发中心建设项目。
营收利润增长迅速
晶升股份聚焦于半导体领域，率先突破12英寸半导体级单晶硅炉国产化，已成为半导体级单晶硅炉和碳化硅单晶炉领先企业，客户包括上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技、比亚迪等。
晶升股份主营业务收入主要来自于碳化硅单晶炉、半导体级单晶硅炉及其他晶体生长设备的销售收入。公司12英寸半导体级单晶硅炉主要供应上海新昇、金瑞泓，市场占有率约为9.01%-15.63%，在国内供应商中处于第一梯队；公司自2017年开始启动碳化硅单晶炉产品研发，如今已实现批量销售，客户包括三安光电、东尼电子、浙江晶越、通威微电子等20余家，市场占有率约为27.47%-29.01%。
目前，国内12英寸半导体级晶体生长设备市场国产化率仅在30%左右，国产替代空间巨大，同时碳化硅持续发展，也带来了相关设备机遇，浙商证券指出，随着硅片市场不断发展，到2025年将带来97.47亿元的单晶硅炉市场空间；未来2至5年，国内碳化硅衬底产能有望实现约10倍以上的新增产能增长，同时带来74.4亿元碳化硅单晶炉市场空间。
得益于此，今年来晶升股份实现了收入与利润的双增长。三季度财报显示，报告期内实现营业收入2.4亿元，同比增长81.92%，归母净利润0.43亿元，同比增长126.57%，扣非归母净利润0.27亿元，同比增长145.75%，前三季度保持高速增长。
单看第三季度，晶升股份营业收入1.25亿元，同比增长87.9%，归母净利润0.28亿元，同比增长72.66%，扣非归母净利润0.19亿元，同比增长36.07%，三季度营业收入和净利润仍保持高增长。
今年10月25日，晶升股份披露，公司与四川高景太阳能科技签订了《高景设备采购合同》，合同价款含税合计金额约为3.39亿元，包括单晶炉控制系统、光伏级单晶炉及配套产品。据晶升股份表示，此次合同中除了原先的控制系统以外，公司经各方面综合考量后接受了一部分单晶炉整机的订单，订单的交货计划于今年完成，经客户验收后确认收入，主要会对明年的业绩带来影响。
近期晶升股份在接受机构调研时还表示，公司积极开拓中国台湾市场并与客户保持密切的技术交流，目前已经取得批量订单且订货数量持续增加，此外，公司也正积极布局海外市场。
晶升股份进一步称，公司的半导体级单晶硅炉和SiC单晶炉都已在中国台湾成功交付并验收，设备在客户现场表现良好，公司在中国台湾地区的主要竞争对手为德国、韩国以及日本等国外设备厂商。
为迎接持续增长的订单，晶升股份在积极扩产，上市募资的一部分资金还将用于“半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目”，该项目为产能补充项目，位于江苏省南京市江北新区，拟投资额2亿，计划在2022年上半年开始建设，2022年末开始陆续投产，2024年建设期全部完成，项目建成后将成为产能全国领先的晶体生长设备生产基地，可生产各类晶体生长设备700余台/年，能够满足未来可预期内的市场需求。
碳化硅成公司未来发展更大机遇
在硅半导体领域建立了核心竞争力后，晶升股份意识到碳化硅将成为未来的新风口，大力布局碳化硅设备，如今已成为公司的主要营收业务，2023年上半年财报显示，公司碳化硅单晶生长炉业务收入占比60.90%，收入同比增长66.64%，为公司第一大产品。
据了解，晶升股份的碳化硅单晶炉产品包含PVT感应加热、电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型、半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。
碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，在各类电源及服务器、新能源汽车，光伏逆变器等领域具有广泛的应用，晶升股份招股说明书数据，国内碳化硅衬底现有产能约为25.8万片/年~40万片/年，按照国内碳化硅厂商已规划新增产能情况，未来2-5年，国内碳化硅衬底产能有望达到400万片/年~420万片/年，预计较现有产能实现约10倍以上的新增产能增长，公司的碳化硅单晶炉具有高稳定性、高可靠性、高一致性及高生产率等优点，获得了客户的广泛认可，将在未来的市场增长中受益。
如今碳化硅衬底向着大尺寸方向演进，距离8英寸碳化硅衬底量产时间越来越近，晶升股份在2021年开始投入研发8英寸碳化硅单晶炉，现已完成电阻法晶体生长炉的新品开发，并实现晶体生长过程中可视化，目前公司手中已有少量订单。
此前在调研中晶升股份表示，目前市场仍处于从6寸向8寸过渡的阶段，但碳化硅8寸全面替代6寸仍然需要一定时间，在这个过渡时期，公司可以为客户提供6寸兼8寸的碳化硅长晶设备，此外我们的8寸设备也已向市场批量供应。目前多家客户已开始进入8寸的开发工作并取得了阶段性的成绩，其中不少客户已成功做出8寸碳化硅晶体，随着8寸碳化硅工艺水平的提升与成本的降低，未来定制化的8寸碳化硅长晶设备将逐步成为市场的主流。
值得注意的是，为进一步完善碳化硅生产设备布局，晶升股份还纵向延伸碳化硅外延生长和晶体加工设备，大力研发多线切割机设备和多片式CVD设备，目前进展顺利，研发成功后有望凭借现有的客户优势快速导入，提升在单一客户的价值量占比，据悉，其碳化硅外延设备样机将在明年推出。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：晶升股份项目封顶，持续扩大半导体设备产能，近期已获得4.59亿订单！