近日
中建一局中标
武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目
助力武汉打造
集成电路芯片和半导体产业高地

 

中标!打造国内最大的SiC功率半导体制造基地
△项目效果图

 

项目位于武汉市东湖高新区
建筑总面积约25.15万平方米
建设内容包括厂房、综合楼等
建成后将打造从外延生长、器件设计
晶圆制造到模块封测的全产业链能力
预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万
功率器件模块6100万
广泛覆盖新能源汽车、光伏
储能、充电桩、电力电网等领域

 

△项目总平图

 

该项目是响应国家
“创新驱动发展战略”的重大举措
建成后将成为国内最大的
SiC功率半导体制造基地
推动长飞先进半导体成为
中国第三代半导体产业领头羊
助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地
为高科技产业新升级贡献央企力量

 

来源:中建一局公众号

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):中标!打造国内最大的SiC功率半导体制造基地

作者 li, meiyong