12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，同时整体具有更大的成本优势，具有极高的竞争力。国盛公司制备的硅基氮化镓外延片，可以满足电力电子用氮化镓器件的需求。自电科材料南京外延材料产业基地项目投产以来，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后实现客户交付，如今高质量的硅基氮化镓外延材料顺利下线，标志着国盛公司产品多元化布局初步完成。下一步，国盛公司将继续按照集团公司、电科材料战略部署，着力加强关键核心技术攻关，完善产品设计和成果转化，持续调整产业结构和布局，实现核心关键材料的自主保障和高端半导体外延材料的自主创新发展，为电科材料成为世界一流的半导体材料创新中心和产业基地贡献国盛力量。来源：中电材料
