据爱企查网站信息显示，扬杰科技近日公布了六项关于碳化硅功率器件的制备方法发明专利。
包括一种碳化硅半导体器件及其制备方法、一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法、一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法、隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法、一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法、一种碳化硅二极管器件及其制备方法专利。
其中关于“提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”，涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm‑2；N+型衬底具有两个表面，分为正面与背面，在正面形成一层N型缓冲层，厚度为0.8~1um，掺杂浓度为1e18 cm‑2；在N型缓冲层覆盖N型轻掺杂类型的漂移层，即为N‑型漂移层，厚度为5~15um，掺杂浓度为5e15~1e16 cm‑2,背面形成金属电极层；步骤002，在漂移层的表面通过光刻掩膜，进行P型掺杂形成P‑Well阱区；本发明制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
“隔离栅的碳化硅晶体管及其制备方法”，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本发明一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。
“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法”，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正向导通压降。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：扬杰科技公布六项关于碳化硅功率器件发明专利