氮化硅（Si3N4）和氮化铝（AlN）因其高热导率和良好的电绝缘性，在散热方面表现出色，尤其适用于高功率和高温度下的电子设备。福建臻璟作为一家全国领先的第三代半导体氮化物材料供应商及热管理方案解决企业，主营氮化硅陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、高纯氮化铝粉、氮化铝造粒粉、氮化铝大粒径填料粉、氮化铝球型填料粉等产品，广泛应用于芯片、功率模块、高端封装、射频/微波等元器件，为5G通讯、光伏、电子电力、新能源汽车及航天航空等高端领域起到关键散热作用。
福建臻璟新材料科技有限公司成立于2018年，位于福建安溪2025产业园，占地面积近100亩，首期研发楼、工业厂房2万多平方米，拥有生产车间和检测实验室，各产品年产能分别为氮化铝粉体200吨、氮化铝&氮化硅陶瓷基板500万片，位居行业领先地位。臻璟已通过IATF 16949汽车管理体系，ISO 9001质量管理体系，CNAS国家实验室等认证，并拥有20多项发明专利。
氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能。与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具有耐高温、超高的硬度和断裂韧性，所以在高频率振动或高温的条件下表现出优异的力学性能。臻璟氮化硅陶瓷基板密度≥3.20g/cm、导热率≥80W/(m*k)、抗弯强度≥700MPa。
氮化铝陶瓷基板具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗、可靠的绝缘性能、优良的力学性能、无毒、耐高温、耐化学腐蚀；高导热氮化铝基板广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业。臻璟生产的氮化铝基板密度≥3.30g/cm、导热率＞230W/(m*k)、抗弯强度＞320MPa。
臻璟E级氮化铝高纯粉具备纯度高、金属杂质含量低等优点，主要应用于HTCC多层共烧陶瓷、LED荧光粉及透明陶瓷领域。
臻璟H级氮化铝高纯粉碳氧含量控制严格，粒径分布窄，主要应用于高导热氮化铝陶瓷基板的制备。
臻璟氮化铝造粒粉具有高成形性、高流动性，适用于干压、半干压、冷等静压工艺，应用于静电卡盘和陶瓷结构件。
臻璟氮化铝大粒径填料粉分为0.7um,1um,2um,5um,8um,10um六个标准规格，在基体材料中具有低粘度，高填充能力；促进填料与高分子物质相容，提高材料导热性能。
臻璟氮化铝球形填料粉采用喷雾造粒的方法制备分为30um,50um,80um,100um,120um,150um六个标准规格，所制得的氮化铝球形粉具有导热率高、球形度高、纯度高、比表面积小、粒度分布窄、流动性好等优点。由于氮化铝自身的高导热性能使其成为热界面材料、导热塑料的核心原材料。
原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：福建臻璟：氮化物导热材料行业引领者，打破国际垄断，助力第三代半导体产业腾飞
