创芯 智造 领航
创新领航,赋能未来。3月20日,在全球规模最大的SEMICON China 2024上海国际半导体展期间,晶盛机电发布了8英寸双片式碳化硅外延设备、8英寸碳化硅量测设备、12英寸全自动减薄抛光设备,标志着晶盛半导体设备链“图谱”再度扩员,将加速产业“强链补链延链”,推动半导体产业高端化、智能化、绿色化发展。
此次发布会以“创芯 智造 领航”为主题,行业专家、客户代表及投资界代表等近百人出席,共同见证新品发布的重要时刻。

晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品
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■ 半导体新品发布现场

 

随着人工智能的快速发展,以及5G、新能源汽车等新兴产业的推动,半导体作为基础性先导性产业的核心战略作用更加突出。晶盛在围绕SiC半导体产业链国产自主目标下,相继研发了6英寸双片式碳化硅外延设备与8英寸单片式碳化硅外延设备,今年再次推出行业领先的8英寸双片式碳化硅外延设备。
作为半导体核心装备产业链升级引领者,晶盛机电秉持“不领先不投产”的研发理念,打破产业链技术壁垒,赋能客户价值,助力行业高质量可持续发展。
01
碳化硅外延设备
8英寸双片式碳化硅外延设备
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

SiC EP200D-ZJS具备单腔同时加工2片8英寸晶圆的能力,设备单位产能提升80%,生产成本降低30%,同时EP200D搭载了目前最新的外延掺杂工艺包、全自动化上料模块以及AI大数据分析平台EAP接口,可实现基于C2C模式的大规模外延量产方案。

02
碳化硅量测设备
SiC外延片光学量测设备
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

EM200A-ZJS采用傅里叶变换红外光谱技术,对6/8英寸的SiC外延片进行非接触式的外延层膜厚及整体均匀性的测量,该设备内置了两套自主研发算法,实现缓冲层和外延层的计算,用户可根据自身工艺、膜层厚度及晶圆生长结构进行算法选择和调整。

SiC晶圆表面形貌量测设备
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

FM200A-ZJS采用掠入射移相干涉技术,对2-8英寸SiC衬底片以及外延片的平坦度和厚度进行非接触式的高精度测量。设备支持定制化数据分析功能开发及自定义被测晶圆的分选标准,可根据设定标准对晶圆进行分选下片。

03
减薄抛光设备
12英寸减薄抛光机
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

WGP12T-ZJS采用空气主轴带动砂轮高速旋转,以IN-Feed方式对8-12英寸晶圆进行磨削的减薄设备,可稳定实现厚度100μm以下的薄片化加工,可与贴膜机联机使用,一次性完成晶圆撕贴膜作业。

12英寸减薄抛光清洗一体机
晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

WGP12THC-ZJS是根据当前先进封装等市场需求开发的超精密晶圆减薄设备。集成先进的超精密磨削、CMP及清洗工艺,配置卓越的厚度偏差与表面缺陷控制技术,极大满足了3DIC制造、先进封装等领域中晶圆超精密减薄技术需求。

 

来源:晶盛机电

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):晶盛机电重磅发布多款碳化硅设备新品

作者 li, meiyong