近日，国内碳化硅行业又有3家企业获得融资，募集资金有的用于扩建SiC模块产线，有的聚焦于开发针对SiC材料的深刻蚀设备和工艺等。
1.安建半导体获超2亿元C轮融资
2.中锃半导体完成数千万元融资
3.萃锦科技完成数千万元天使轮融资
4月8日，据“JSAB安建科技”官微消息，公司获得超过2亿元人民币的融资。本轮融资由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台；扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线；扩充销售及其他人才团队；增加营运现金流储备等。
SiC-Diode（来源：安建官网）
4月3日，中锃半导体（深圳）有限公司中锃半导体完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。
中锃半导体成立于2023年10月，聚焦于特色工艺领域的 “等离子体干法刻蚀设备（Plasma Dry Etch）”和“关键工艺解决方案”。
中锃半导体创始人兼CEO谭志明表示，公司目前正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅（Trench-Gate）的实现和更广阔器件设计窗口。
在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。
近日，宁波市人民政府宣布宁波萃锦科技发展有限公司（以下简称"萃锦科技"）完成数千万元天使轮融资。本轮融资由上海金浦投资领投，所获资金主要用于产线搭建、设备购买及补充流动资金。
萃锦科技专业从事功率器件的研发、生产、销售和应用服务。公司联合韩国、日本和本土技术团队及芯片代工资源，产品主要包括600V 至2200V范围的碳化硅SiC MOSFET、硅基超结SiSJmos等分立器件，主要应用于新能源快速充电桩、光伏、储能、风电、工业驱动、新能源乘用车等场景和领域。
萃锦科技拥有成熟量产的SiC、IGBT和MOSFET超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际产品在芯片制造价值链上，可以提供"一站式FSM+BGBM"中后道完整解决方案，SiCMOSFET晶圆减薄可达到100微米，达到国际领先技术水平。
2023年1月，萃锦年产120万只中高功率半导体器件产品项目开工，项目总投资6.5亿元，拟建设半导体器件生产厂房，产品包括SiC模块等。
来源：安建科技、36氪、宁波市人民政府
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：又有3家碳化硅企业完成融资