绝缘栅双极型晶体管 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由 BJT (双极型三极管)和 MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点,被广泛应用于各领域电力电子设备中。2023 年虽然全球半导体市场整体面临下滑,但 IGBT 市场凭借关键应用领域的强劲需求,带动国内 IGBT 企业业绩基本上涨,同时企业技术创新持续推动产品性能的提升和应用范围的扩展,国产化和政策支持进一步加速市场的本土化进程,预计 2024 年将继续保持增长趋势。

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

图源赛晶科技

①新能源驱动需求,IGBT市场快速增长
在“双碳”政策的推动下,国内新能源汽车渗透率迅速提升,风-光-储-氢等新能源发电产业呈现多点耦合爆发式增长。IGBT 作为能源转换和传输的核心器件,是新能源产业及工业应用中不可或缺的组成部分,随着这些市场的快速扩张,对高性能 IGBT 的需求预计将持续增长。
②国内产能快速扩张,竞争加剧
面对庞大的市场需求,国内多家 IGBT 生产商纷纷扩大产能,进行产品线生产布局。由于部分 IGBT 产品下游市场需求减弱,产品价格承压,同时国内企业产能扩充,供给增加,价格竞争加剧。
③技术创新促进产品性能提升,IGBT模块化发展
为满足终端领域的高功率密度需求,多家企业在 IGBT 结构及工艺方面进行优化创新,加大产品研发力度,同时为了适应多变的市场需求,开发多品类、多型号的 IGBT 产品,IGBT 模块化、集成化发展。另外部分企业正在研究 IGBT 与 SiC 结合的新型功率器件,以满足车规级等高端市场需求。
④智能与自动化等高端领域有望成为IGBT市场新增长点
随着“供给侧改革”、“节能环保”、“智能制造”、“工业互联网”等国家政策支持,IGBT正在向更多高端新兴应用领域渗透,如智能电网管理、工业自动化控制、制氢电源以及某些高技术医疗设备等,为IGBT市场提供了更多的发展机会。
下面对国内 17 家 IGBT 上市企业的 2023 年年报汇总,供大家参考。

表  国内17家IGBT上市企业2023年业绩情况

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
制表:艾邦智造,数据来源:各公司年报
各公司业绩增长及下降的详细情况如下(序号不代表排名)。艾邦建有IGBT/SiC产业链微信交流群,扫描下方二维码即可加入。

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

1.中车时代半导体(时代电气 688187)

 

2024 年 3 月 28 日,株洲中车时代电气股份有限公司(时代电气,证券代码:688187 ) 发布2023 年年度报告。报告期内,时代电气实现营业收入人民币 217.99 亿元(同比增长 20.88%),主要系新兴装备产品收入持续保持高速增长所致,其中功率半导体器件收入人民币 31.08 亿元(上年同期人民币 18.35 亿元),同比增长 69.39%;实现归母净利润 31.06 亿元,同比增长 21.51%;研发费用为20.21 亿元,较上年增幅 14.70%。
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在功率半导体领域,时代电气建有 6 英寸双极器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地, 拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术,生产的全系列高可靠性 IGBT 产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面,并于2023年完成全电压等级系列新一代 IGBT 芯片产品开发等研发成果。
在新产业方面,IGBT 模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先,占有率国内第一;在新能源市场快速突破,根据 NE 时代统计数据,时代电气 2023 年新能源乘用车功率模块装机量达 100.55 万套市占率 12.5%,排名第三;集中式光伏 IGBT 模块市占率快速提升,组串式模块实现批量供货,超精细沟槽 7.5 代 STMOS+ 产品效率提升明显,达到国际领先水平;5MW IGBT 制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢。

2. 斯达半导(603290)

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2024 年 4 月 7 日,斯达半导体股份有限公司(斯达半导,证券代码:603290)发布2023 年年度报告,报告显示,2023年斯达半导实现营业收入366,296.54 万元,较2022年同期增长35.39%,实现归母净利润9.11亿元,较2022年同期增长11.36%。斯达半导主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长。
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报告期内,斯达半导继续保持以 IGBT 模块为主的产品结构,IGBT 模块产量1373万只,销售1274万只,营业收入 33.31 亿元,同比增长35.66%,占主营业务收入的 91.55%;其他产品收入同比下降 32.81% ,主要原因为2023 年斯达半导IGBT 单管的核心下游户用式光伏逆变器需求下降导致。
2023 年,斯达半导和深蓝汽车合资成立重庆安达半导体有限公司,研发生产高性能、高可靠性的车规级 IGBT 模块和车规级 SiC MOSFET 模块,预计 2024 年完成厂房建设并开始生产;2023年斯达半导还在瑞士苏黎世设立新的研发中心,进一步加大对下一代 IGBT、 SiC芯片以及模块先进封装技术的研发力度,报告期内研发投入2.87亿元,同比增加52.16%。
2024年,斯达半导将继续扎根 IGBT 为代表的功率半导体行业,完善汽车领域、工控及电源行业、光伏发电、风力发电及储能等新能源领域、变频白色家电市场等产业布局,加速下一代IGBT芯片的研发和产业化、并开展3300V-6500V高压IGBT的研发。

3. 士兰微(600460)

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2024 年 4 月 7 日,杭州士兰微电子股份有限公司 (士兰微,证券代码:600460)发布2023 年年度报告,报告显示,2023 年,士兰微实现营业总收入933,954 万元,同比增长 12.77%,主要系 IPM 模块、IGBT 器件、PIM 模块、快恢复管、SiC 器件、32 位 MCU 等产品的营业收入增长较快;归母净利润为-3,579 万元,比 2022 年减少 103.40%。报告期内,士兰微加大产品研发投入,以及产品在高门槛市场的推广力度,研发费用达8.64亿,同比增长 21.47%,营业收入比例为9.25%。
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2023 年,士兰微分立器件产品的营业收入为 48.32 亿元,较上年增长 8.18%,其中超结 MOSFET、IGBT 器件、IGBT 大功率模块(PIM)等产品的增长较快,IGBT(包括 IGBT 器件和 PIM 模块)的营业收入已达到 14 亿元,较去年同期增长 140%以上。
报告期内,士兰微已完成 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的技术升级,完成多个电压平台的 RC-IGBT 产品的研发,将在汽车主驱、储能、风电、IPM 模块等领域中推广使用;并推出 SiC 和 IGBT 的混合并联驱动方案(包括隔离栅驱动电路),正在加快汽车级 IGBT 芯片、SiC-MOSFET 芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设,预计今后 IGBT 器件成品和芯片、PIM 模块(IGBT 模块和 SiC 模块)等产品的营业收入将快速成长。
另外,士兰微参股公司士兰集科在 2023 年加快推进 IGBT 芯片产能建设,截至 2023 年年底,已具备月产 2.5 万片 IGBT 芯片的生产能力,2024 年士兰集科将加快车规级 IGBT、MOSFET 等功率芯片产能释放,改善盈利水平。

4. 芯联集成(688469)

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2024 年 3 月 22 日,芯联集成电路制造股份有限公司(芯联集成-U,证券代码:688469)发布2023 年年度报告(该公司于2023年5月10日上市)。截至报告期末,芯联集成尚未实现盈利,实现营业收入53.24亿元;实现归母净利润-19.58亿元,亏损同比增加79.92%。获益于国内新能源汽车行业的快速增长及国产替代的双重红利,芯联集成主营业务收入49.11亿元,比上年同期增加9.52亿元,同比增长 24.06%。
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在报告期内,芯联集成年度研发投入15.29亿元,占营业收入28.72%,在 8 英寸 IGBT 等功率器件及其他产品方向上持续增加研发投入。截至报告期末,芯联集成已建设完成两条8英寸硅基晶圆产线,月产量达17万片,包括IGBT产品月产8万片、MOSFET产品月产7万片。当前芯联集成车规级IGBT和SiC模块已实现月产能330,000只,良率较高。此外,该公司在光伏、工控、家电领域的多款新产品也已量产,车规级模组产线实现了自动化生产。
2023 年芯联集成市场占有率大幅提升,车规产品覆盖绝大部分新能源汽车终端客户;工控产品覆盖超八成风光储新能源终端客户;高端消费产品覆盖七成以上的头部消费终端客户(含手机及高端白色家电);超高压IGBT产品成功进入国家电网智能柔性输电系统。具体在IGBT 方面,应用于车载及工控的核心芯片领域的 IGBT 产品技术已比肩国际先进水平;一期、二期生产工厂均按照车规要求建设,是国内最大的车规级 IGBT 生产基地;IGBT 模组已全面覆盖国内头部企业。

5. 扬杰科技(300373)

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2024年4月22日,扬州扬杰电子科技股份有限公司 (扬杰科技,证券代码:300373)披露2023 年年度报告。2023年,扬杰电子实现营业总收入54.10亿元,同比增长0.12%;归母净利润9.24亿元,同比下降12.85%。2023年扬杰科技主营业务中,半导体器件收入46.24亿元,同比增长0.05%,占营业收入的85.48%;半导体芯片收入4.88亿元,同比增长0.83%,占营业收入的9.02%;半导体硅片收入1.73亿元,同比下降29.34%,占营业收入的3.20%。

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2023年扬杰科技重点布局工控、光伏逆变、 新能源汽车等应用领域,在 IGBT 模块市场份额快速提升;同时瞄准清洁能源市场,利用 Trench Field Stop 型 IGBT 技术,成功推出 1200V 系列、650V 系列 TO220、TO247、TO247PLUS 封装产品,性能对标国外主流标杆。报告期内,扬杰科技新能源汽车 PTC 用 1200V 系列单管通过车规认证,大批量交付客户;针对光伏领域,成功研制了1200V/160A、650V/400A 和 450A 三电平 IGBT 模块,并投放市场,同时着手开发下一代 950V/600A 三电平 IGBT 模块。
目前,扬杰科技基于 Fabless 模式的 8 吋、12 吋平台的 Trench 1200V IGBT 芯片,完成了 10A-200A 全系列的开发;在 G2 和 G3 平台方面,目前已经成功开发应用于变频器、光储、电源领域的 1200V/35A~200A、950V/200A、650V/50A~100A 等多款 IGBT 芯片,对应的 PIM 和 6 单元功率模块 1200V/10A~200A、半桥模块 50A~900A 也同步投放市场。2024 年,在 IGBT 板块,扬杰科技将加大芯片研发投入,引入 FS(场终止)技术、MPT 微沟槽技术,大力开发 IGBT 芯片、车规级产品、大电流模块、高压模块,实现 IGBT 的进口替代。

6. 华润微电子(688396)

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2024年4月25日晚间,华润微电子有限公司(华润微,证券代码:688396 )披露2023 年年度报告。报告期内,华润微实现营业收入 99 亿元,较上年同期减少 1.59%;归母净利润14.79亿元,较上年同期减少43.48%;研发投入 11.54 亿元,同比增长 25.30%,占营业收入的比例达到 11.66%。
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2023年华润微 IGBT 产品线销售收入近 7 亿元,产品线销售规模实现显著增长。报告期内,IGBT 产品线持续推进“晶圆 8 吋化、封装模块化、应用高端化”,12 吋高端 IGBT 预研能力建设有序快速推进。其中8 吋 IGBT 晶圆贡献规模增长 62%,工业(含光伏)领域销售占比提升至 70%以上,汽车市场头部客户合作更加深入;功率产品模块化成效显著,整体规模增长 1.45 倍,其中 IGBT 模块增长 1.1 倍,IPM 模块增长 6.5 倍,TMBS 模块增长 1.83 倍,IGBT 模块完成电焊机、变频器、光伏、新能源汽车电驱等应用领域几十余款型号的模块产品开发;先进功率封测基地量产规模快速提升,营收快速增长,TO、PPAK 等功率器件封测、智能功率模块封测等已经实现稳定大规模量产,IGBT 模块、SiC 模块已进入批量生产阶段,TOLT、QDPAK 等新型功率器件封装已完成布局,并与多家国内外一流终端客户达成合作。
2024 年华润微计划 IGBT 产品线在确保整体规模大幅增长的同时,进一步加大 12 吋 IGBT 工艺技术和产品研发投入,加快 8 吋产品系列化与上量以及 IGBT 模块化及上量,同期开发高电压段、高端 IGBT 和 FRD 产品,加快光伏储能、工控和汽车电子等高端应用领域产业化,有序推进 IGBT 车规级产品开发与汽车电子核心应用拓展。

7. 东微半导(688261)

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2024年4月25日,苏州东微半导体股份有限公司(东微半导,证券代码:688261 )披露2023 年年度报告。报告期内,东微半导实现营业收入 97,285.03 万元,较上年同期减少 12.86%;实现归母净利润 14,002.50 万元,较上年同期减少 50.76%。同时,东微半导Tri-gate IGBT 产品报告期内实现营收 2,988.55 万元,较 2022 年同期减少 33.01%。
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
报告期内,东微半导新型 Tri-gate IGBT (TGBT)产品报告期内实现营业收入 2,988.55 万元, 较 2022 年同期减少 33.01%。2023 年,东微半导在IGBT 产品转换竞争策略,加强对自有知识产权 Tri-gate IGBT 技术研发力度,由中小功率产品拓展至大功率产品方向研发应用,填补了国内市场空白,迅速实现了高性能 IGBT 产品的国产化替代。目前第二代 TGBT 技术已量产,第三代 TGBT 开发顺利,已经研发成功,正在快速孵化验证中。同时,东微半导基于 TGBT 技术开发的新型Hybrid-FET 器件,兼具 IGBT 与 MOSFET 器件的优势,目前已申请专利并开始产业化,持续稳定批量出货中。
另外,东微半导于本报告期内正式进入 SiC 功率器件的自主研发工作。其中 650V SBD 系列产品目前和公司 IGBT 合封的高速器件已经通过车规考核并且批量交付;1200V SBD 系列已经产出,可以配合公司的 1200V IGBT 芯片形成高速 1200V 系列。

8. 台基股份(300046)

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2024年4月17日,湖北台基半导体股份有限公司(台基股份,证券代码:300046)披露2023 年年度报告,报告期内实现营业收入 31,973.26 万元,同比下降 9.22%;利润总额 3,814.39 万元,同比增长 94.60%;实现归母净利润 3,113.97 万元,同比增长 57.82%。报告期内,台基股份销售各类功率半导体器件及组件 204.30 万只(包括晶闸管、模块、芯片、组件、 散热器等),同比增长 1.51%,其中晶闸管销售 63.75 万只,同比增长 6.07%;模块销售 110.34 万只,同比下降 4.93%。
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2023 年市场需求阶段性回落,台基股份产品迭代升级速度,响应客户多样化需求,IGBT 器件和焊接模块器件销量显著增长,在变频器、中频电源、调功器、地铁等工业电源装置的应用持续扩展,陆续研发出适合数字能源和储能领域的大功率半导体器件,并具备批量生产能力;加快悬浮压接模块研发进度,IGBT 模块及塑封 IGBT 器件形成批量生产能力,研发多款专用高压器件应用于医美等新兴领域,促进了公司的业务扩展。
2024年台基股份将重点开发新型 IGBT 模块和 IGCT 等智能化器件,加速产业化进程;提升 IGBT 资源支撑,完成 1200V 系列规格、1700V 部分规格产品研发,形成量产能力,并在加热和冶炼行业,加大 IGBT 在重点客户的应用力度。

9. 华虹半导体(01347)

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2024年3月28日晚间,华虹半导体有限公司(华虹半导体,证券代码:01347)披露2023年全年业绩。华虹半导体2023年全年销售收入22.86亿美元,同比增长7.7%;归母净利润2.80亿美元,同比增长37.8%,全年毛利率为21.3%。2023年,华虹半导体功率分立器件销售收入9.02亿美元,与上年同期相比增长16.5%,增长主要得益于新能源汽车和工业领域的强劲需求。
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华虹宏力在2023年持续在技术上增加投入,研发费用合计约2.07亿美元,同比增长28.3%。华虹继续扩大“8英寸+12英寸”生产与技术平台建设,2023年6月在无锡正式开工建设二期项目12英寸生产线,目前无锡第二条12英寸晶圆生产线的主厂房钢屋吊架已吊装完成,预计将于2024年底投产,月产能将达8.3万片。
截至2023年底,华虹无锡的9.45万片月产能已完全释放,华虹半导体折合8英寸月产能扩充至39.1万片,全年付运晶圆410.3万片。随着华虹IGBT产品比重越来越高,新型超结MOSFET技术的有序开放,面向汽车、电动车、新能源及工业用途的客户新品数量创下近年新高。

10.宏微科技(688711)

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2024年4月25日,江苏宏微科技股份有限公司(宏微科技,证券代码:688711 )发布2023 年年度报告。2023 年,宏微科技实现营业收入 150,473.94 万元,同比增长 62.48%;归母净利润 11,619.49 万元,同比增长 47.63%;功率半导体器件实现营收1,486,64.42万元,同比增长61.45%;报告期内公司整体产能提升,接受的订单饱满,营业收入同比大幅上升。
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宏微科技2023 年度实现研发投入10,809.85 万元,同比增长 68.17%,占营业收入的比例为 7.18%,同比增加0.24个百分点。2023 年,该公司持续围绕微沟槽 IGBT 技术、虚拟原胞技术、逆导 IGBT 技术等多项第七代功率芯片关键技术进行创新,IGBT 产品在微细槽栅结构设计和工艺上得到了突破;IGBT 芯片在 12 英寸、FRD 在 8 英寸制造工艺实现方面得到了突破,所研发的 IGBT 和 FRD 产品成功批量应用于光伏逆变器和新能源汽车电控系统中。
截至报告期末,宏微科技“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目” 已完成承诺投资,项目均已实施完毕并达到预定可使用状态。2023 年 7 月发行可转换公司债券的募集资金主要用于“车规级功率半导体分立器件生产研发项目(一期)”,项目建成后,将形成每年 240 万块车规级功率半导体分立器件的生产能力。

11. 新洁能(605111)

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2024年3月27日,无锡新洁能股份有限公司 (新洁能,证券代码:605111)发布2023 年年度报告。2023 年,新洁能实现营业收入 147,656.14 万元,较去年同期减少 18.46%;归属母净利润 32,311.63 万元,较去年同期减少 25.75%;功率器件业务收入139,869.84万元,较去年同期减少-17.54%。2023年新洁能功率器件产品的生产量相比去年同期增加 8.34%、销售量比上年同期增加 9.89%、库存量比上年同期增加13.80%。
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
新洁能2023年研发投入 8,731.42 万元,占营业收入的比例为 5.91%。该公司持续推进高端 IGBT、MOSFET 的研发和产业化,在已推出先进的超薄晶圆 IGBT 等产品基础上,持续对产品升级换代,实现基于 12 英寸芯片工艺平台的 IGBT 产品的大规模量产。目前新洁能 IGBT 模块主要用于光伏逆变器,受到报告期内光伏储能需求减弱的影响,新洁能整体 IGBT 产品的销售呈现下滑状态,实现销售收入 2.66 亿元,比去年同期下滑 33.97%,销售占比从去年的 22.33%下降到今年的 18.09%。新洁能预计 2024 年光伏需求会有所回暖、进而促进 IGBT 产品的销售回升,其他变频、小家电、汽车等领域的 IGBT 产品销售规模亦将进一步扩大。
截至目前,新洁能控股子公司无锡金兰已经完成建设第一条 IGBT 模块的封装测试产线,满产后可达到产能 6 万个模块/月。计划 2024 年开始按车规要求升级产线,满足车规产品的生产要求,并逐步通过车规质量体系 IATF16949 审核。   

12. 赛晶科技(00580)

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

2024年3月22日,赛晶科技集团有限公司(赛晶科技,证券代码:00580)发布2023年业绩公告。报告显示,2023年,受益于国内特高压直流输电工程密集开工,赛晶科技相关订单和交付增长,以及其自研功率半导体销售收入增长等有利因素,集团业绩全面回暖,销售收入达10.55亿元人民币,同比增长15%;毛利率32%,同比增长4个百分点;归母净利润3,155万元,同比增长31%。2023年赛晶科技研发成本约11,360万元,同比增加约26.1%,主要由于自产IGBT和储能集成母排等产品的研发成本增加。   
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
2023年赛晶科技自研功率半导体业务,实现销售收入达8,145万元,同比增长105%。销售收入的94%都来自进入门槛高、品质要求苛刻的新能源发电、储能和电动汽车领域。IGBT模块销售量约17万个,收入约为8,140万元, 较去年同期增长约105%。2023年赛晶科技路陆续推出1700V IGBT及FRD芯片,ST封装IGBT模块、HEEV 封装碳化硅(「SiC」)模块、EVD封装IGBT模块等多款新产品;并启动电压为1200V和1700V,包含Si IGBT和SiC MOSFET的多个系列芯片和模块研发,有望于2024年内陆续推出。
在产能方面,赛晶科技成为第一批在12寸IGBT晶圆代工生产线上实现芯片量产的国内企业,并完成第2条IGBT模块生产线建设,启动了第3条IGBT模块生产线和第1条碳化硅模块生产线的建设。2024年,赛晶科技将加快产能扩充,力争完成第3条IGBT模块和第1条碳化硅模块封测生产线的建成。

13.皇庭国际(意发功率半导体)(000056)

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

2024年4月26日晚间,深圳市皇庭国际企业股份有限公司(皇庭国际,证券代码:000056)发布2023年年报,报告显示,2023年皇庭国际实现营业收入11.72亿元,同比增长76.68%。2023年皇庭国际以“123”转型发展战略为指引,在稳步发展商业管理业务的同时,继续加大对功率半导体业务支持力度。
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
2023 年是皇庭国际收购意发功率后第一个完整的审计年度, 意发功率主要从事功率半导体芯片的设计、制造及销售业务,拥有年产36万片6寸功率晶圆的能力,核心产品为FRD、SBD、MOSFET、IGBT等功率半导体。报告期内,意发功率半导体业务实现营业收入 12,905.49 万元,占营业收入比11.01%;产量方面,德兴工厂全年产出 26.6 万片,较上年同期增长 60%;产品质量方面,2023 年平均成活率为 98.58%,较 2022 年提升 1.58%,平均测试良率为 97.92%,较 2022 年提升 1.62%,均接近业内标杆水平。
2024年,意发功率收入目标为2.2亿元,将持续加大研发投入,加快新工艺、新产品开发,改善产品结构,并向下游成品业务延伸,目标在工业焊机、充电桩、储能等领域实现突破,将意发功率打造成真正的 IDM 型公司。

14. 华微电子(600360)

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

2024年4月28日,吉林华微电子股份有限公司(ST华微,证券代码:600360)发布2023年年报。报告期内,华微电子实现营业收入 174,175.60 万元,同比下降 10.82%;实现归母净利润 3,686.94 万元,同比下降 36.16%;半导体分立器件实现营业收入1,666,45.98万元,同比下降11.62%。   
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
2023年,华微电子实现多个战略性新兴领域的拓展:在新能源光伏逆变与风力发电领域,实现 IGBT、FRD 产品销售额的稳步增长;在工控领域IPM、PM 模块实现可观销售;在储能逆变领域实现 IGBT产品销售额大幅度提升;在白电领域取得长足发展,供应产品覆盖了 MOSFET、FRD、IGBT、IPM 全部门类。
报告期内,华微电子持续推进研发创新,研发投入10,614.95万元,同比增加0.85%。在IGBT方面的研发主要体现在根据在白色家电、工业变频、UPS 和光伏等领域应用的不同特点,有针对性地优化 IGBT 产品参数,形成适用于不同应用领域的低、中、高频系列 IGBT 产品及模块。开发的新一代载流子存储沟槽 IGBT 技术,具有更低的导体和开关损耗,在空调、储能、充电桩等领域批量应用。

15. 国电南瑞科技(600406)

17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

2024年4月24日,国电南瑞科技股份有限公司(国电南瑞,证券代码:600406)发布 2023 年年度报告。报告显示,国电南瑞2023年实现营业收入 515.73 亿元,较上年同期增长 10.13%,实现归母净利润 71.84 亿元,较上年同期增长 11.44%。2023 年国电南瑞全年研发投入 34.59 亿元,占收入比 6.71%    
17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势
2023年国电南瑞已实现 1200V、1700V 中低压 IGBT 产品自主可控和 3300V、 4500V 高压 IGBT 产品的挂网应用。其中高可靠性 4500V 压接式 IGBT 产品通过中电联新产品技术鉴定,综合技术性能指标达到国际先进水平;4500V/3000A IGBT 在张北延庆换流站挂网,1700V 及 1200V IGBT 器件在客户端实现批量应用。
经初步测算,国电南瑞计划2024年实现营业收入 560 亿元,同比增长 8.6%,重点工作包括加快发展电网外和新兴业务,全力推进新能源、工业领域的高质量发展,推动 IGBT、储能、信创、海上风电等新兴业务规模化发展,形成新的效益增长点。

16. 固锝电子(002079)

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2024年3月30日,苏州固锝电子股份有限公司(固锝电子,证券代码:002079)发布 2023 年年度报告。2023 年度,固锝电子实现营业收入 408,735.45 万元,同比增长 25.06%,达到并超过了年初经营计划的营收目标,继 2021 年、2022 年之后,营收再创历史新高。其中半导体业务共实现营业收入 100,183.56 万元,比去年同期下降 20.89%。   
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固锝电子专注于功率二极管生产研发,在 DFN、QFN、SMD 等封装基础上兼顾 MOSFET 与 IGBT 封装。2024 年,固锝电子将扩展高密度贴片产品和新型大功率封装工艺的品类,进一步提升工艺流程的自动化水平,重点开发相关新产品:SOT-277 mini bloc 与 IGBT 模块产品,一期重点开发 IGBT43&62mm、 Econo DUAL3 与 EASY 1B/2B,二期开发 T-PAK 等。产品方面规划开发 128 款 mos 产品,同步完成中低压车规 10-15 款产品,IGBT 5 款 IPM 2 款,等;同时继续开发车用半导体新型模块,在原有基础上,继续加大车用半导体 SiP 封装与电源功率模块的封装研发力度,并持续上量。

17. 振华科技(000733)

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2024 年 4 月 27 日,中国振华(集团)科技股份有限公司(振华科技,证券代码:000733)发布 2023 年年度报告。报告显示,振华科技2023 年营业收入 77.89 亿元,同比增长 7.19%;毛利率 59.34%,同比下降 3.38 个百分点;归母净利润 26.82 亿元,同比增长 12.57%;研发投入4.4亿元,同比减少14.69%。   

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报告期内,振华科技在新产品研制方面,完成了高压大电流碳化硅肖特基二极管、大功率碳化硅MOSFET、第七代IGBT芯片、大电流航空断路器、高功率密度厚膜混合集成DC/DC变换器和高强度LTCC陶瓷材料及配套高导电铜浆等多款新产品的研制。
另外,根据振华科技4月16日、18日在投资者互动平台的回答,振华科技将IGBT产品聚焦于特种领域,并秉承军民协同发展战略,拓展高端民用领域目前,振华科技已根据订单情况合理安排IGBT产线投产,lGBT产品交付正常,产品可应用于机器人、机械臂等领域,同时瞄准民用船舶、航空、轨道交通、卫星及新能源汽车市场

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推荐活动
第三届功率半导体 IGBT/SiC 产业论坛(苏州·7月5日)
01
会议议题
序号
拟定议题
拟邀请
1
功率半导体行业的全球化趋势与本土化策略
赛米控丹佛斯
2
SiC芯片封装技术与新能源汽车系统集成
扬杰电子
3
碳化硅(SiC)在电动汽车中的应用与前景
翠展微
4
基于不同基材的散热片表面处理解决方案
麦德美乐思
5
烧结工艺的自动化与智能化(初拟)
恒力装备
6
基于数字孪生的精益设计在IGBT芯片封装结构和散热中应用
上海及瑞工业设计
7
面向未来的功率半导体材料研究
拟邀请半导体材料企业
8
第三代半导体材料的研发趋势与挑战
拟邀请宽禁带半导体材料供应商
9
功率模块的设计创新及应用
拟邀请功率模块封装企业
10
碳化硅单晶生长技术的浅析与展望
拟邀请SiC供应商
11
大尺寸晶圆精密研磨抛光技术难点突破
拟邀请碳化硅研磨抛光企业
12
国内高端芯片设计与先进制程技术新进展
拟邀请芯片技术专家
13
高温SOI技术与宽禁带材料结合的前景
拟邀请芯片技术专家
14
功率模块封装过程中的清洗技术
拟邀请清洗材料/设备企业
15
高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术
拟邀请陶瓷衬板企业
16
高性能塑料封装材料的热稳定性研究
拟邀请封装材料企业
17
超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势
拟邀请超声波焊接企业
18
IGBT/SiC封装的散热解决方案与系统设计
拟邀请散热基板企业
19
全自动化模块封装测试智能工厂
拟邀请自动化企业
20
新一代功率半导体器件的可靠性挑战
拟邀请测试技术专家
21
功率半导体器件在高温高压环境下的性能与适应性
拟邀请检测设备企业
22
新能源领域对功率器件的挑战及应对解决方案
拟邀请光伏功率器件专家
更多相关议题征集中,演讲及赞助请联系张小姐:13418617872 (同微信)
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02
往届演讲企业(部分)
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03
拟邀企业类型
  • 主机厂、汽车零部件、充电桩、光伏逆变器、 风力发电机、 变频家电、光通信、工业控制等终端企业;
  • IDM、功率半导体器件、晶圆代工、衬底及外延等产品企业;
  • 陶瓷衬板(DBC、AMB)、键合丝、散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC)、硅凝胶、焊料/焊片、烧结银、散热器、外壳工程塑料(PPS、PBT、高温尼龙)、PIN针、清洗剂等材料企业;
  • 贴片机/固晶机、清洗设备、超声波焊接、点/灌胶机、垂直固化炉、真空回流焊炉、X-ray、超声波扫描设备、动静态测试机、银烧结设备、测试设备、电镀等设备企业;
  • 高校、科研院所、行业机构等;
……
04
报名方式
方式1:请加微信并发名片报名
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 肖小姐/Nico:13684953640
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演讲或赞助联系 Elaine 张:134 1861 7872(同微信)
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05
收费标准
付款时
1~2个人(单价每人)
3个人及以上(单价)
6月3日前
2700/人
2600/人
7月3日前
2800/人
2700/人
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3000/人
2800/人
费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。
可通过艾邦预订会议酒店,协议价500元/间/晚,标间或大床可选。
06
赞助方案
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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):17家上市企业年报揭示2024年IGBT市场持续火爆趋势

作者 liu, siyang