最大程度改善先进陶瓷特性
热等静压（HIP）工艺是生产先进陶瓷的最佳工艺，适用于要求全密度、 最小晶粒生长水平、极限强度和高可靠性的应用。
目前发展最快的先进陶瓷应用有医疗植入物、热等静压SN混合陶瓷轴承和透明陶瓷。
实现材料100%的理论密度
◉ 调整烧结温度，使用高等静压力，实现最小晶粒生长。
◉ 实现最大强度及可靠性、硬度和透明度。
极大提升生产效率
◉ 利用接触点处的高气压，以及高密度 压缩气体（高达 0.5 kg/dm3）的浮力效应，可堆叠部件，而无需考虑粘连或凹陷风险。
广泛应用于
◉ 用于混合陶瓷轴承部件的热等静压SN
◉ 用于医疗植入物的 ZTA、ATZ和热等静压SN
◉ 用于激光增益、防刮窗口、装甲等方面的透明陶瓷
对于采用任何粉末压实法（CIP、AM、CIM、轴向压制等）成型和烧结的先进陶瓷部件，使用HIP进行最终致密化可消除残余孔隙，即使对于液相烧结体系也可获益。
使用HIP提高部件在500 MPa载荷下的强度时，计算对失效概率F的影响（韦伯模量常数，m=15）。
Quintus的HIP系统凭借高达207 MPa的额定压力和2000°C的极限温度，足以将大多数陶瓷材料压实到接近100%的最大理论密度，同时将晶粒生长降至最低水平。大多数材料的标准工艺气体为氩气，而氮化物可以使用100%的氮气进行加工。不论是强度、可靠性还是硬度、透明度，Quintus HIP都能为你量身打造！
新型 HPHTTM：HIP的进阶版
Quintus不断探索HIP工艺的新功能，以满足客户的多样化需求。目前，Quintus高压热处理功能已经在金属系统中得到应用，并正在评估将其拓展至先进陶瓷领域。凭借Steered cooling™等特性，HPHTTM可实现性能定制、加强工艺控制并提高生产效率，Quintus Purus® 则可确保工艺气氛和使用寿命。
制备完全透明非立方多晶氧化铝的技术：使用纳米级均匀粉末，在最低温度下烧结以达到气密状态，并施加最大压力将所需温度保持在最低水平，以免晶粒生 长到超过可见光波长的尺寸，再HIP至>99.99% 的理论密度。由 Quintus Technologies、POLYCTRYSTAL design GmbH 和 Lithoz GmbH 合作提供。
陶瓷的起点
冷等静压或温等静压（CIP/WIP）是固结大型陶瓷或难熔金属粉末部件以及现有最大等静压石墨部件前驱体块的首选方法。CIP/WIP技术不仅是固结陶瓷粉末获得均匀高密度的最快方法，还能确保高效且低成本的生产。
在环境温度或高达145°C的温度下，在直径达2.5米的钢丝缠绕压力容器中施加1000至 6000 bar之间的压力，CIP/WIP可以实现非韧性粉末的最高生坯密度水平。韧性粉末的密度 水平可接近 100% 的理论密度，为通过烧结和HIP工艺实现最终致密化创造了最佳起点。
通过单轴压制或等静压制时 3:1 (D:h) 棒体中的生坯密度分布
等静压特别适用于长径比高且形状复杂的大型部件或坯料，而单轴压实法可能在压力点之 间产生较大密度梯度。
选择CIP/WIP，让陶瓷生产更高效
CIP/WIP普遍应用于各种材料的固结，包括陶瓷粉末、等静压石墨、难熔金属和电绝缘体。CIP/WIP技术不仅能帮助你获得均匀高密度的陶瓷生坯，还能确保高效且低成本的生产。这种技术已经广泛应用于溅射靶材、大尺寸陶瓷部件、电子元件和固态电池材料等多个领域。经过CIP/WIP固结的部件，在HIP的进一步加工下，更能实现全密度并提高机械特性。
待压实的陶瓷或金属初始粉末、带有多个陶瓷元件的电路板、PVD 溅射光伏电路和大型陶瓷球。
等静压工艺，让先进陶瓷的生产变得更为高效、可靠。无论是HIP还是CIP/WIP，它们都是陶瓷行业不可或缺的利器。如果你也在追求陶瓷材料的极致性能，不妨尝试一下等静压工艺吧！
原文始发于微信公众号（Quintus Technologies）：解锁陶瓷新境界：实现陶瓷材料100%理论密度，消除残余孔隙！
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