Nexperia 6月27日在官网表示，将投资 2亿美元（约合14亿人民币）开发SiC/GaN，并在汉堡工厂建立生产基础设施，扩大产能。
为了满足对高效功率半导体不断增长的长期需求，这三种技术（SiC、GaN和Si）都将从2024年6月开始在德国研发和生产。这意味着Nexperia正在支持电气化和数字化领域的关键技术。SiC和GaN半导体使数据中心等耗电量大的应用能够以卓越的效率运行，并且是可再生能源应用和电动汽车的核心组成部分。这些WBG技术具有巨大的潜力，对于实现脱碳目标越来越重要。
Nexperia德国公司总经理表示:"未来安世半导体的汉堡工厂将覆盖WBG半导体的全部产品，同时仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。”
第一条高压GaN D型晶体管和 SiC二极管生产线于2024年6月启动。下一个里程碑将是用于SiC MOSFET和GaN HE MT的200 mm生产线。这些将在未来两年内在汉堡工厂建立。
同时，这项投资将有助于进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并通过系统化转换到200毫米硅片来扩大硅生产能力。在清洁室面积扩大后，正在建造新的研发实验室，以继续确保今后从研究到生产的无缝过渡。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：安世半导体将在德国投资14亿元，扩大SiC/GaN产能
