7月17日，据环球晶圆官网宣布，环球晶圆旗下子公司GlobalWafers America (GWA)将从美国政府获得 4 亿美元资金，用于在德克萨斯州和密苏里州建设 300 毫米硅和 SOI 晶圆工厂。
交易的初步条款是，作为 40 亿美元投资的一部分，建立国内首个 300 毫米硅和绝缘体上硅 (SOI) 晶圆工厂，并提高 200 毫米碳化硅 (SiC) 晶圆的国内产量。
根据美国《CHIPS法案》的4亿美元直接投资将支持建设新的晶圆制造设施，德克萨斯州工厂的提议是在2022年6月提出的，但密苏里州的300毫米SOI晶圆厂是一个新提议。
将建造的密苏里州圣彼得斯工厂，目的是：建立新设施，生产常用于国防和航空航天终端用途的低功耗芯片的 300 毫米 SOI 晶圆。
GlobalWafers 还计划将其位于德克萨斯州谢尔曼的现有硅外延晶圆制造工厂的一部分改造为 SiC 外延晶圆制造工厂，生产用于高压应用（包括电动汽车和清洁能源基础设施）的 150 毫米和 200 毫米 SiC 外延晶圆。
目前，包括台湾环球晶圆在内的五家公司占据了全球80%以上的300毫米硅片制造市场，约90%的硅片来自东亚。只有5%产自欧洲。
该公司此前曾试图收购德国晶圆制造商 Siltronic，并计划借助《欧洲芯片法案》的资金支持在意大利建造一座 300 毫米硅晶圆工厂。
拟议的 CHIPS 投资将使 GlobalWafers America (GWA) 在德克萨斯州谢尔玛建立美国首个用于先进芯片的 300 毫米硅晶圆制造工厂，三星和 TI 也正在该地建设 300 毫米晶圆厂。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：环球晶圆获4亿美元新建Si和SiC晶圆厂