电子封装基板种类繁多，常用的基板主要分为塑料封装基板、金属封装基板和陶瓷封装基板。
陶瓷基板与塑料基板和金属基板相比具有绝缘性能好、低介电系数，高频性能、高导热系数、气密性好、化学性能稳定等特点，对微电子系统起到很好的保护作用。
基于以上优势，陶瓷基板在高可靠性、高频、耐高温、气密性好的产品例如移动通信、计算机、家用电器、汽车电子上都可以找到它们的身影。尤
目前，电子封装主要的陶瓷基板材料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）、氧化铍（BeO）等。
氧化铝基板是目前使用量最大的基板。目前使用的Al2O3陶瓷基片主要是多层基板。Al2O3的加入提高了材料的电绝缘性能、热导率和抗冲击性能，但同时也会导致烧结温度和生产成本的提高。所以为了降低Al2O3基板烧结温度，一般加入一些烧结助剂，如Y2O3、B2O3、MgO等。
AlN氮化铝陶瓷基片是一种新型的基片材料。近年来，AlN氮化铝出色的导热性，是新一代高集成度半导体基板和电子封装材料的首要选择。导热有多好？AlN陶瓷基片热导率可达150~230W/(m·K)，是Al2O3的8倍以上。目前，商业上一般都在170W/(m·K)以上。另外，AlN的热膨胀系数为（3.8~4.4）×10-6/℃，与Si、SiC和GaAs等半导体芯片材料热膨胀系数匹配良好。高成本是限制了AlN陶瓷广泛应用重要因素，目前AlN陶瓷基片主要应用于高端产业。
Si3N4 氮化硅具有三种晶体结构，分别是α相、β相和γ相 ,其中α与β相是最常见形态。Si3N4具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等优良性能。
在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4 陶瓷抗弯强度高 (大于 800 MPa)。但是，Si3N4陶瓷的介电性能较差，介电常数为8.3，介电损耗为0.001～0.1。目前的生产成本也较高。
SiC陶瓷具有较高的热导率，在高温下热导率为100w/（m·k）～400W/（m·k），是Al2O3的13倍。抗氧化性能好，在1600℃的氧化气氛中仍可使用；而且电绝缘性好，热膨胀系数低于Al2O3和AlN。因其抗压强度较低，一般仅适用于低密度封装，而不适用于高密度封装。除集成电路元件、阵列元件、激光二极管等外，还用于导电结构件。
BeO氧化铍具有较高的热导率，BeO氧化铝约为10倍，其室温下的热导率可达250W/（m K），且导热系数对金属而言，且在高温、高频下，其电气性能好，耐热性好，耐冲击性好，化学稳定性好。氧化铍可以应用在大功率晶体管的散热片、高频大功率半导体器件的散热片、发射管、行波管、激光管、速调管。
由于 Al2O3 和 AlN 具有较好的综合性能，且现在市场上早已达到了量产能力，所以影响市场相对较多；Si3N4 基板抗弯强度高的优点也被重视了起来，在下游应用在陶瓷封装中的潜力不可小觑。
原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：陶瓷封装基片材料一览
