天岳先进自成立以来已获得了6轮融资，获得了国开行、中车时代、中微公司等龙头投资。另外，天岳先进还是华为哈勃进军第三代半导体所投资的第一家企业。据企查查消息显示，华为哈勃投资金额为2726.25万元，占股权的7%。
华为之后，公司又获得了“宁王”的加持，前景一片大好。
目前，碳化硅主要应用于以 5G 通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。
“碳中和”、“碳达峰”下，国内外已刮起碳化硅上车的风潮。
此外，由于第三代半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约第三代半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端——衬底，因此其已成为兵家必争之地。
我们若能在衬底行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。
TrendForce集邦咨询指出，SiC衬底作为产业链最关键环节，Wolfspeed/SiCrystal(Rohm)/ II-VI等国际大厂占据了绝大部分市场份额，其中Wolfspeed位于美国北卡罗莱纳州的8吋SiC衬底产线预计将在2022年上半年开始产能爬坡。
天科合达/山东天岳/烁科晶体/同光晶体等中国厂商开始崭露头角，但主流尺寸仍停留在4吋，6吋刚刚步入量产，与国际巨头差距不小。
天岳先进是我国第三代半导体材料碳化硅的龙头企业，目前能够供应2英寸~6英寸的单晶衬底。
在半绝缘型SiC衬底领域，天岳先进产品电阻率已实现108Ω·cm以上，电学性能达到较高水平，已批量且稳定地供应给通信行业领先企业，用于其新一代信息通信射频器件的制造。据相关统计，2019/2020年，天岳先进已跻身半绝缘型SiC衬底市场世界前三。
据招股书，天岳先进本次拟募资20亿元，在上海临港新片区建设SiC衬底生产基地，以满足不断扩大的碳化硅半导体衬底材料的需求。该项目建设期为6年，自2020年10月开始前期准备，计划于2022年试生产，预计2026年100%达产。（文：化合物半导体市场 Amber）
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原文始发于微信公众号（化合物半导体市场）：天岳先进IPO明星云集，“宁王”领头，汽车大厂“豪赌”碳化硅！