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随着国内第三代半导体的发展，AMB覆铜板越来越成为高可靠性的基板。
AMB覆铜板优势
1 AMB氮化硅基板具有高热导率。
一方面，AMB氮化硅基板具有较高的热导率（>90W/mK），厚铜层（达800μm）还具有较高热容量以及传热性。因此，对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说，AMB氮化硅基板可谓其首选的基板材料。
另一方面，活性金属钎焊技术，可将非常厚的铜金属（厚度可达0.8mm）焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上。因此，载流能力较高，而且传热性也非常好。客户可自定义产品布局，这一点类似于PCB电路板。
2 AMB氮化硅基板具有低热膨胀系数。
氮化硅陶瓷的热膨胀系数（2.4 ppm/K）较小，与硅芯片（4 ppm/K）接近，具有良好的热匹配性。因此，AMB氮化硅基板，非常适用于裸芯片的可靠封装，封装后的组件不容易在产品的生命周期中失效。
AMB结构：
AMB覆铜板主要由氮化铝or 氮化硅陶瓷基板，活性金属钎焊料，无氧铜材料，通过以下process制成。
本次我们介绍的是我们代理的日本无氧铜，适用于AMB覆铜板行业。
效果・特征
- 可抑制热处理时的晶体膨胀的高耐热性无氧铜。
2. 遵守C1020R的成分规格、所以可置换使用。
3. 应用独特的组织控制技术、所以不发生不纯物多而导致的接合不良。
4.可提供0.25~2.0mm不同厚度规格无氧铜。
在客户端测试验证，对比参考数据：
原文始发于微信公众号（Roger说材料）：AMB覆铜板用无氧铜介绍
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