1月9日，基于专有氮化镓（GaN）加工技术开发创新型高压功率开关元件的半导体器件公司Odyssey Semiconductor宣布产品样品制作完成，并于 2023 年第一季度开始向客户发货。
Odyssey 首席执行官 Mark Davidson表示："我们客户一直在热切地等待这些垂直 GaN 产品样品。我很自豪地报告，制造已按计划于 2022 年第四季度完成，现在正在准备样品，以便在本季度晚些时候运送给客户，我们将与这些初始客户密切合作，以获得有关他们产品功能的宝贵反馈。我们希望在 2023 年第二季度末与客户达成产品开发协议。"
产品样品制造的完成巩固了 Odyssey 作为功率应用垂直 GaN 技术领导者的地位。它需要我们的重要知识产权来制造适用于客户案例的产品。Odyssey 继续开发和保护所需的 IP，并将通过与主要客户合作获得更多优势，这些客户将提供更多见解以确保产品成功。公司继续接受产品样品请求，客户可获取 650 和 1200 伏立式 GaN 功率器件的信息和样品。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：Odyssey Semiconductor 宣布将于Q1开始向客户出货垂直 GaN 样品