AMB（Active Metal Brazing，活性金属钎焊）工艺利用钎焊料中含有的少量活性元素（例如，钛Ti）与陶瓷反应生成能被液态钎焊料润湿的反应层，从而实现陶瓷与金属结合的一种方法。根据陶瓷材质的不同，目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为：氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。
AMB氧化铝基板
基于氧化铝板材来源广泛、成本最低，是当前性价比最高的AMB陶瓷基板，其工艺也最为成熟。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限，AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。
AMB氮化铝基板
AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。氮化铝AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。
AMB氮化硅基板
氮化硅陶瓷的热膨胀系数（2.4ppm/K）较小，与硅芯片（4ppm/K）接近；AMB氮化硅基板具有较高的热导率（>90W/mK）。AMB-Si3N4基板结合的机械性能具有优异的耐高温性能、散热特性和超高的功率密度。
对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说，AMB氮化硅基板可谓其首选的基板材料。此外，载流能力较高，而且传热性也非常好。
来源：威斯派尔
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