氮化硅基板（Si3N4）具有优异的高热导率、低热膨胀系数和高抗热震性，力学性能优异，其抗弯强度和断裂韧性是氮化铝和氧化铝的2倍以上，成为大功率第三代半导体的关键材料之一，随着功率半导体产业不断发展，航天航空、轨道交通、电动汽车、光伏逆变、智能电网等多种场景都需要氮化硅陶瓷基板的应用。氮化硅基板也是世界级的战略材料，是目前世界上兼具高导热性、高可靠性的综合性能最好的陶瓷基板材料，因其综合性能高，研发难度大，尤其是即烧型氮化硅基板（As fired Si3N4 substrate）难度更大，美、日等国家目前在该领域处于垄断地位。国内部分研究机构和陶瓷企业为改变现状、提升国产化生产能力，进行了比较大的研发投入。

图  产品实物照片

表  即烧型氮化硅基板特性参数

艾森达作为氮化铝陶瓷基板的领先企业，也是国内首家氮化铝即烧型基板的量产化企业，在即烧型陶瓷基板的研发和生产方面积累了大量的相关经验。艾森达研发团队自2020年开始进行氮化硅基板的潜心研发，目前已突破即烧型氮化硅基板的流延、排胶、烧结、后处理等技术工艺瓶颈，实现氮化硅基板的量产化，形成了不同粉体的氮化硅基板系列产品，满足下游企业对基板性能的不同需求。

图  流延生胚工艺

宁夏艾森达新材料科技有限公司在株洲市各级政府和集团母公司湖南湘瓷科艺有限公司的大力支持下，于2021年在株洲天易工业园投资新建株洲艾森达新材料科技有限公司氮化铝/氮化硅、HTCC生产基地，目前已实现氮化硅基板120万片/年，氮化铝基板300万片/年的产能，并计划在2023年继续投扩大产能，打造年产800万片的氮化硅/氮化铝基板产业基地。艾森达将不断进行技术进步，在高热导氮化硅基板、低成本氮化硅基板方面持续突破，满足不同客户的需求，成为IGBT功率半导体专业基板配套企业。

图  排胶、烧结工艺

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株洲艾森达新材料科技有限公司成立于 2021 年 3月，公司位于株洲市天元区天易科技城自主创业园一期 K2 地块 3 号厂房。

公司产品丰富，涵盖氮化铝粉体（包含流延粉、造粒粉、填料粉）、氮化铝基板、氧化铝基板、氮化硅基板、HTCC用氮化铝生瓷片、氧化铝生瓷片、LTCC用生瓷片、以及各种生瓷片的配套浆料、陶瓷多层基板、陶瓷封装管壳、UVLED支架、各类加热片、陶瓷结构件等，广泛应用于电子、通讯、航空、航天、冶金、石油、化工、照明、体育、医疗、原子能、太阳能等领域。我们致力于成为拥有核心技术和重要影响力的高可靠电子陶瓷材料先进企业。

公司现有员工200余人，拥有雄厚的技术实力和先进的全套生产设备，在同行业中率先通过了GB/T19001、GJB9001C-2017、IS09001质量管理体系、IATF16949汽车行业质量管理体系等认证。截至2023年4月，公司共获授权（或已受理）专利 54项，其中软件著作权 6 项，发明专利 4项，实用新型 44项。在氮化铝粉体、基板、结构件、氮化铝多层线路板等产品方面的生产研发能力和技术水平均已达到国际先进水平。秉承“以科技求发展，以品质保证、服务专业、顾客满意”企业发展宗旨，公司将与客户携手共进，共同发展。

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：艾森达新品发布：即烧型氮化硅基板（As fired Si3N4 substrate）