激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，IGBT背面退火越来越多应用激光退火技术。欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。

1.IGBT退火技术

在垂直方向上，IGBT结构经历了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和电场截止型（field stop，FS），使器件的整体性能不断提高。

图 IGBT结构的变化

图 IGBT 工艺流程

由于硅片正面金属铝的存在，此处的退火工艺必须保证硅片正面温度要小于500℃，因此用炉管工艺来激活时温度必须低于500℃（一般选择400-450℃）。但在这一温度范围内，注入离子的激活率很低，对器件的性能调整造成影响。

激光退火由于能够对硅片背面进行局域加热，在硅片背面局部形成极高温，大幅提高背面注入离子的激活率，同时保持硅片正面在较低温度。

2.激光退火技术

20世纪60年代后期和20世纪70年代初期偶尔出现过关于激光退火的报道，但是激光退火直到1971年才被发明出来。为了保证不损伤正面的器件结构，并保证背面的激活效果，从IGBT第四代之后，逐步采用激光退火技术取代传统热退火技术。

激光退火的原理是用激光束照射半导体表面，在照射区内产生极高的温度，使晶体的损伤得到修复，并消除位错的方法。它能有效地消除离子注入所产生的晶格缺陷，同时由于加热时间极短（约为普通热退火的百万分之一），可避免破坏集成电路的浅结电导率和其他结特性。

图 激光退火波长与深度的关系示意图

激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度，且不损伤硅片的正面器件，从而在IGBT制造过程中得到业界的广泛关注和应用。

资料来源：

1.雷海波,肖胜安,童宇峰.激光退火工艺在绝缘栅双极型晶体管的应用[J].半导体技术,2014(6):434-437,451.

2.陈勇辉,刘国淦.高性能IGBT激光退火设备及其量产应用[J].电子工业专用设备,2014(4):1-7.

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：激光退火工艺在IGBT制造中的应用