先进封装之图像传感器混合键合（CMOS Hybrid Bonding）

聊到混合键合（Hybrid Bonding）, 我们在之前的一篇文章《先进封装之混合键合（Hybrid Bonding）的前世今生》已经对其进行了简要介绍，此处不再赘述。

Hybrid Bonding从最初量产便首先应用于图像传感器上，直到现在除了一些先进处理器在应用该技术外，其在图像传感器CIS(CMOS image sensors)上仍然在不断的发展，最终产品常被用于高端手机相机、数码相机和数码单反相机的堆叠背照式CMOS图像传感器（BI-CIS）。

今天，我们聊聊日本Sony发布的一种BI-CIS技术，其目的是将图像传感器（CIS）和图像信号处理器（ISP）连接在一起。如图1(左)所示，传统的BI-CIS采用TSV技术将像素阵列和逻辑电路在芯片外围区域实现6微米间距，2万个铜-铜连接。图1(右)采用了铜-铜混合键合的BI-CIS器件则是实现了的更小的互联间距（5微米间距）和更大规模的互联，达到150万个铜柱连接。更高的密度甚至可以做到3微米和300万个铜柱连接。

传统TSV技术与铜-铜混合键合的主要差异如图4所示。明显可以看出铜-铜混合键合技术中单个连接单元占用空间更小。从布局灵活性的角度来看，与传统的芯片堆叠技术（如通过硅通孔技术）相比，铜-铜连接具有许多优点。我们可以将铜-铜连接放置在上/下芯片的外围区域以及中央区域这样就增加了电路设计的灵活性。键合步骤示意图如图5所示。

这么小的间距，势必要求更高的贴装精度，图6为传统键合工艺（左）和最新键合工艺（右）制造中的错位比较。可以看到0.5微米以下的错位是完全可以做到的。

这些是不是已经够复杂了？还有更为复杂更先进的封装技术应用于CIS产品。业界提出了具有两种类型的3D堆叠结构：同质芯片堆叠和异质芯片堆叠。当然，在任何结构中，具有高密度连接的三个或更多芯片将是突破传统设备的关键。

在3D堆叠器件中，正面对正面的铜-铜混合键合和正面面对背面的铜-铜混合键合为我们提供了三维集成的灵活性。相比传统的微凸点技术，晶圆级铜-铜混合键合可以在极高密度下电连接上下芯片。

图8，展示了一个三层堆叠结构的示例。其具体加工流程如图9所示。首先，在top wafer和middle wafer的顶部BEOL层上制作铜连接BUMP。将top wafer和middle wafer进行面对面的铜-铜混合键合后，middle wafer的背面通过减薄以制作TSV。最后，通过位于middle wafer背面和bottom wafer顶部BEOL层上制作的铜连接bump，实现middle wafer和bottom wafer的铜-铜混合键合。

本文介绍的技术当前主要来自于日本Sony公司，国内同行对相关技术的报道还不多。希望国内封装巨头们，也抓紧赶上。

参考文献：

1. The Scaling of Cu-Cu Hybrid Bonding For High Density 3D Chip Stacking Y. Kagawa , S. Hida etc.

2. Novel Stacked CMOS Image Sensor with Advanced Cu2Cu Hybrid Bonding Y. Kagawa , N. Fujii,etc.

3. An Advanced CuCu Hybrid Bonding For Novel Stacked CMOS Image Sensor Y. Kagawa, N. Fujii, etc.

4. Impacts of Misalignment on 1μm Pitch Cu-Cu Hybrid Bonding Y. Kagawa, H. Hashiguchi, etc

5. Development of face-to-face and face-to-back ultra-fine pitch Cu-Cu hybrid bonding Yoshihisa Kagawa, Takumi Kamibayashi, etc.