总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷

8 月 28, 2023

长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目落户光谷

助力打造化合物半导体产业高地

8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。

总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷长飞先进半导体生产现场

安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷

11 月 5, 2024 gan, lanjie

11 月 5, 2024 gan, lanjie

10 月 30, 2024 gan, lanjie