IGBR 是具有防潮功能的大功率背接触式电阻器,可实现超高额定功率,具有适用于混合组件的微型外壳尺寸。 IGBR 电阻器具有高额定功率、单一引线接合组装的特性,外壳尺寸从 0202 到 0808 不等。典型应用于功率转换器(第三代 SiC MOSFET)的栅极电阻器、大功率应用和替代能源等领域。IGBR 是节省电源模块空间的完美部件。 为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器? 1. 通过限制电流影响开关速度 2. 限制栅极驱动路径中的噪声 3. 限制寄生电感和电容 4. 限制对栅极进行充电和放电的电流 5. 限制峰值栅极电流以保护驱动器输出级 6. 耗散栅极回路中的功率 7. 影响开关损耗并防止栅极振荡 深圳市禹龙通电子股份有限公司成立于 2000 年,坐标深圳市南山区,拥有独立自主的厚膜、薄膜生产线。我司 2005 年获得军工武器装备资质,最高可生产宇航标准等级产品;2010 年成为国家高新技术企业,目前主要给 5G 通讯和军工产品作配套。 目前禹龙通生产的 IGBR 主要应用于 SiC MOSFET 模块中,作为栅极电阻起到驱动的作用。当前国内 SiC MOSFET模块基本是都是用国外(美国)威世的电阻,我们可以对其进行国产化替代。 联系方式: 座机:(86)-755-26825723 (86)-755-26835000 汤经理:13602526440 (end) 原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器? 文章导航 SiC封装银烧结设备供应商10强 如何保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡?