Dry Chemicals 近日开发出一种工艺可以将功率半导体材料碳化硅（SiC）晶圆的制造成本降低 20-30%。该工艺在晶锭上进行凹槽加工，使晶圆切片更平整，减少了晶圆表面研磨、抛光等后处理所需的步骤。该公司将于 10 月份开始晶圆代加工和制造设备对外销售，预计第一年销售 5 至 10 台设备。
预先用磨石在晶锭要切割的位置处切割出圆周凹槽，这些凹槽起到引导钢锯的作用，从而可以更精确地切割晶片。"SiC 晶体特别硬，切割时会发生漂移。如果有凹槽，砂粒可以有效地进入，从而很难发生漂移。"通过这样的方法最大限度地减少对晶片表面的损伤。
对于厚度为 15 毫米的硅锭，可以切割 20 个凹槽，"磨石最多可以切割 40 毫米。这样的话，可以切割得到 75 片晶圆。"
另外，通常在切割后需要进行斜角（斜面）工艺来修整每个晶片的边缘，但据介绍："当在晶锭上放置凹槽时也会形成斜角，因此不需要该工艺。而且，由于单晶圆加工变成批量加工，效率进一步提高。"因此，成品只需镜面研磨、化学机械抛光（CMP）、清洁和切割后立即检查即可。
"研磨后的 Ra（表面粗糙度）已达到 0.5 纳米以下，而通常需要两个阶段的1.0纳米（纳米是1/10亿）"。因此，通常需要两步的 CMP 可以一步完成，从而减少了化学品的使用量以及研磨和抛光废物的量。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：日本采用新工艺将 SiC 晶圆制造成本降低 30%