依托于光刻机的光罩（Litho）工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺，光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型 IGBT 一般采用 9-10 层光罩进行加工。安建早于 2019 年即在国内顶尖 8-inch 晶圆厂成功开发并量产了仅采用 7 层光罩工艺的第七代沟槽-场截止 IGBT 技术，是国内第一家量产第七代 IGBT 的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。
近期，安建将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级 12-inch IGBT 加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的 12-inch 第七代 IGBT 的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内 IGBT 芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。
下图为安建采用 7 层光罩工艺的第七代 12-inch 1200V-25A IGBT 晶圆。
光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。下图为采用上述晶圆封装的第七代 1200V-25A PIM 模块，型号为 JG1A25P120DG2（pin-to-pin 兼容国外进口的第七代 EasyPIM-1B™ 模块）。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。
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相应模块在某知名客户 4kW 高频电机变频器（载频16kHz）完全通过各类极限工况测试，测试结果如下：
驱动波形：
相间短路波形：
1s急减速测试波形：
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT