近日 中建一局中标 武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目 助力武汉打造 集成电路芯片和半导体产业高地 △项目效果图 项目位于武汉市东湖高新区 建筑总面积约25.15万平方米 建设内容包括厂房、综合楼等 建成后将打造从外延生长、器件设计 晶圆制造到模块封测的全产业链能力 预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片 功率器件模块6100万个 广泛覆盖新能源汽车、光伏 储能、充电桩、电力电网等领域 △项目总平图 该项目是响应国家 “创新驱动发展战略”的重大举措 建成后将成为国内最大的 SiC功率半导体制造基地 推动长飞先进半导体成为 中国第三代半导体产业领头羊 助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地 为高科技产业新升级贡献央企力量 来源:中建一局公众号 原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):中标!打造国内最大的SiC功率半导体制造基地 文章导航 骄成超声硬核科技再迎突破,新一代铜线键合机正式“亮剑” 103亿元!青岛180万片12寸晶圆封测项目开工