NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 产品组合中首批发布的产品，随后 Nexperia 将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能 SiC MOSFET 的需求。 RDS(on) 会影响传导功率损耗，是 SiC MOSFET 的关键性能参数。Nexperia 认为这是目前市场上许多 SiC 器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术，Nexperia 的首款 SiC MOSFET 实现了业界领先的温度稳定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内，RDS(on) 的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。 Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，Nexperia 通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。 除了正温度系数外，Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th) 阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。 Nexperia 未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。 
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：安世半导体发布首款 SiC MOSFET