近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V/20A TO-252-3封装 SiC SBD产品在内，芯塔电子已有两款核心产品通过此项认证。本次认证成功通过，为芯塔电子拓展新能源车用市场奠定了坚实基础。目前，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。
芯塔电子1200V/80mΩTO-263-7封装器件及晶圆
芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET车规级认证证书
随着新能源汽车800V高压平台的大规模上车，SiC器件凭借其自身性能优势进入了黄金赛道。芯塔电子针对新能源汽车车用场景推出了系列SiC应用方案，助力新能源车企实现超级快充、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。
图一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓扑
图1为基于Si MOSFET器件的6.6KW传统电路拓扑，前一级DC/DC为两个BOOST PFC交错并联，后面一级DC/DC为LLC。图2为基于SiC MOSFET方案的电路拓扑。前一级DC/DC为单个单相Totem Pole PFC，后一级DC/DC为LLC。
图二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓扑
对应前一级的PFC电路，如果使用Si器件，开关损耗高、功率器件温度高，因此单个单向PFC电路功率有限，需要两路PFC交错并联来扩展功率。在后一级LLC电路中，如果使用低压Si MOSFET作为同步整流，无法支持高电池电压（1000V）充电，而使用1200V SiC MOSFET则可以支持高压电池充电。另外，SiC MOSFET体二极管反向恢复损耗远低于Si MOSFET, 非常适合用于V2G功能的OBC。不仅如此，SiC MOSFET使用还有助于提高OBC效率和功率密度。
来源：芯塔电子公众号
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证，批量导入新能源汽车