随着中国新能源汽车市场的迅猛发展，市场对高性能、高可靠性的国产功率半导体的需求将持续增长。据小编统计，在12月，有20余家企业通过投融资并购、签署合作订单、项目签约及开工投产、发布新品新技术等方式在IGBT/SiC方面持续发力。其中10余家企业新动作与新能源汽车相关，7家企业对涉及IGBT、SiC业务的相关企业进行投融资收购，8家企业签署合作订单、13家企业有项目签约或开工投产有新进展、多家企业发布推出相关新品。
4）意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
1）佰维存储晶圆级先进封测制造项目正式落地
2）广汽中车共同投资企业广州青蓝举行IGBT投产仪式
3）芯塔电子车规级SiC MOSFET进入批量导入阶段
4）贝茵凯成功量产全自主大功率IGBT
5）吉盛微（武汉）SiC制造基地正式投产
6）创锐光谱：碳化硅（SiC）衬底位错缺陷快速无损光学检测取得突破性进展
7）翠展微三期项目封顶，建成可达产IGBT模块300万套/年
8）晶盛机电8英寸SiC衬底已实现量产
9）通用智能sic晶锭8寸线剥离量产设备交付客户
10）爱仕特1700V碳化硅功率模块已实现量产
11）国盛公司第一枚硅基氮化镓外延片正式下线
12）长飞先进首颗自研SiC芯片试产
13）晶能扩建车规 Si/SiC 产线、半桥模块项目开工
12月1日，河北同光半导体股份有限公司（简称“同光股份”）宣布已于近日完成F轮融资。本轮融资规模为15亿元，将用于进一步加速重点项目布局，加筑技术壁垒，构建企业级生态体系，培养第三代半导体行业人才。
同光股份成立于2012年，位于保定国家高新技术开发区，是中科院半导体所的合作单位，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发、生产和销售。公司主要产品包括6/8英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅衬底。
12月4日，江苏卓远半导体有限公司宣布获得凯得粤豪2400万元的财务投资，12月12日宣布获得东方国资旗下基金财务投资4000万元，12月29日宣布获深投控资本投资。
卓远半导体成立于2018年，专注于第三代宽禁带半导体晶体材料及其装备的研发生产与制造，拥有自主知识产权的SiC衬底材料制备及芯片设计核心技术，自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破了“瓦森纳协定”对我国半导体行业的技术封锁，目前在MPCVD金刚石设备及基片市场占有率达35%，是国内MPCVD先进材料设备龙头企业。此前5月底，卓远半导体金刚石基片产线项目入驻二期，主要产品为MPCVD金刚石装备及金刚石基片、SiC长晶设备及SiC衬底片等。
12月14日，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称“超芯星”）宣布完成C轮融资，本轮融资金额数亿元人民币。
超芯星于2019年4月在江苏南京成立，致力于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化。目前公司晶体生长、加工、检测全线贯通，已实现6英寸车规级碳化硅衬底的量产出货，并已与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。
12月22日，深圳市至信微电子有限公司宣布近日完成了数千万元A轮融资，本次融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。
至信微电子成立于2021年，是一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品。公司推出的碳化硅器件产品目前已在光伏、新能源汽车、工业等领域获得客户认可。
12月22日，泛半导体测试设备研发生产企业广州诺顶智能科技有限公司（以下简称“诺顶智能”）于近日完成数千万元B轮融资，本轮融资资金将主要用于产能扩张和补充营运资金，全方位加强人才竞争优势和产品研发能力。此前，公司已获中芯聚源、康橙资本、番禺产投和广州基金的投资。
目前，诺顶智能已陆续推出多合一测试机、陶瓷封装AOI、高速插针机、新能源压接机、芯片倒装贴合机等多款设备，广泛应用于特种被动元器件、先进封装和新能源器件等领域。
12月28日，清纯半导体宣布已于近日完成数亿元Pre-B轮融资，这是清纯半导体继今年4月份完成数亿元A+轮融资以来的又一融资进展。本次融资将用来进一步完善供应链布局、扩大团队、加大在新产品和新技术领域的研发投入，持续加强技术领先及完善产品系列。
清纯半导体是目前国内极少数能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、基于国内产线量产车规级SiC MOSFET的企业，公司系列产品已经在新能源发电、新能源汽车等领域得到广泛应用。
12月30日，浙江晶能微电子有限公司宣布完成 A+轮融资，这是继华登领投 Pre-A 轮、高榕领投 A 轮后，晶能微电子完成的第三轮融资。
晶能微电子为吉利旗下功率半导体公司，近期，晶能微电子秀洲生产基地开工建设，该基地是晶能微电子继余杭工厂（全桥模块）、温岭工厂（单管封装），建设的第三座生产基地，主要补齐新一代高性能塑封半桥模块的研发制造能力。
12月1日，芯动半导体与博世汽车电子在上海签署长期订单合作协议。此次战略合作主要集中于SiC业务，代表着功率模组公司和OEM对上游芯片资源提前锁定的产业趋势，将有助于芯动半导体SiC业务稳步发展。
芯动半导体主营业务为功率半导体模块及分立器件的研发、设计、封装、测试和销售，为长城汽车新能源市场提供核心技术和产品支撑。
12月18日，上海积塔半导体有限公司宣布已于11月30日与中汽创智科技有限公司进行战略协作签约，并进行首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET交付仪式。此次战略合作协议的签署体现了中国第三代半导体企业上下游联动的“一站式”能力。
12月19日，世纪金芯宣布已于近日与湖南S公司已正式签订战略合作协议，双方将围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5w片，交易金额2个亿以上。
世纪金芯半导体有限公司产品覆盖6寸、8寸的SIC衬底片，目前合肥工厂已正式投产，包头年产70万片8英寸工厂正在紧张建设中，预计2024年底一期项目正式投产。湖南S公司成立时就专业从事化合物半导体制造，拥有中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂，服务于全球各地的微电子及光电市场。
4.意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
12月22日， 意法半导体宣布与中国新能源汽车理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET先进技术，具有率先行业的工艺稳定性、性能、能效和可靠性。
12月1日，深圳佰维存储科技股份有限公司宣布其晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区。
佰维存储（688525）成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域。
2.广汽中车共同投资企业广州青蓝举行IGBT投产仪式
12月6日，中车时代电气宣布广州青蓝半导体有限公司（以下简称“广州青蓝”）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）投产仪式在广州青蓝公司现场圆满举行。
广州青蓝由广汽部件与株洲中车时代半导体共同投资成立，主要围绕新能源汽车自主IGBT领域开展技术研发和产业化应用。本次投产仪式的举行，标志着广州青蓝IGBT项目（一期）全面投产，迈出了关键的一步。
3.芯塔电子车规级SiC MOSFET进入批量导入阶段
12月6日，芯塔电子宣布自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证，目前此款产品已在头部OBC企业通过测试，进入批量导入阶段。
包括之前通过测试认证的650V/20A TO-252-3封装 SiC SBD产品在内，芯塔电子已有两款核心产品通过此项认证。截至目前，芯塔电子SiC MOSFET已经在博兰得等近十家充电桩下游客户批量导入。
12月8日，北京贝茵凯微电子有限公司（以下简称贝茵凯）宣布成功量产全自主研发的第一款第七代大功率IGBT，该产品采用“微沟槽栅+深层场截止”结构，并已于今年7月在12英寸晶圆上成功下线。
贝茵凯于2022年创立，是以高端功率半导体设计、研发、生产制造及产品应用整合为主要业务的高科技企业。2023年7月贝茵凯成功研发全自主的“第七代大功率IGBT”，并于12英寸晶圆上成功面世；2023年10月1200V 200A第七代IGBT产品进入量产阶段；2024年贝茵凯将推出全自主研发设计的全系车规级大功率碳化硅MOS产品。
12月8日上午，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司SiC制造基地启用仪式在综保区加工贸易工业园举行并正式投产。项目总投资约15亿元，6月启动生产线设计施工，8月入驻试生产，项目预计2027年达产，可实现年销售收入10亿元。
吉盛微为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司于2023年3月在武汉投资成立，主要从事半导体及泛半导体设备用CVD Sic原材料及Sic 部件、超高纯高精密陶瓷材料及部件、Sic Epi Wafer、CVD Sic设备的研发及生产制造，致力于推进半导体设备和关键零部件国产化。
6.创锐光谱：碳化硅（SiC）衬底位错缺陷快速无损光学检测取得突破性进展
12月12日，大连创锐光谱科技有限公司宣布近日在碳化硅（SiC）衬底晶圆位错缺陷的无损光学检测技术方面取得突破性进展，并将同步推出SiC衬底晶圆位错无损检测专用设备：SIC-SUB-9900。
该设备基于瞬态激发和散射光谱原理，采用大面积光学成像，实现了SiC衬底晶圆位错缺陷的高速、精准、非接触式的无损光学检测。结合AI识别，可对衬底晶圆中的BPD、TSD、TED等缺陷实现精准的识别和分类（以目前行业中广泛应用的碱液腐蚀法的结果为参照，识别准确率达到90%以上）。
7.翠展微三期项目封顶，建成可达产IGBT模块300万套/年
12月12日，浙江翠展微电子有限公司三期项目——扩建年产300万套IGBT模块项目于浙江嘉善封顶，项目总投资15亿元，建筑总面积近10万平方米，建成达产后将实现年产300万套IGBT模块的生产能力，预计年产值10亿元。
浙江翠展微电子有限公司成立于2018年5月，于2020年11月正式签约落户嘉善，同时启动第一条产能20万套/年的汽车级IGBT模块封测线建设，并于2021年11月建成投产，2022年下半年扩产至100万套/年，三期项目于2023年6月19日开工，预计2024年5月首批约5条产线正式投产，同时新工厂将会投建1~2条SiC器件产线，预计2025年正式投产。
12月13日，晶盛机电携高品质8英寸碳化硅衬底片和8英寸外延生长设备首次亮相SEMICON JAPAN 2023日本东京半导体展，并表示6英寸和8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产。
晶盛机电自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，于2018年成功研发出6英寸碳化硅晶体生长炉，于2020年建立长晶和加工研发实验线，于2022年成功研发出8英寸N型碳化硅晶体，2023年11月，公司正式启动进入了碳化硅衬底项目的量产阶段，并于11月4日与杭州湾上虞经济开发区举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，项目总投资21.2亿元。
12月16日，通用智能装备有限公司SiC晶锭8寸剥离产线正式交付客户。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低和损耗高。通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，并成功实现8寸碳化硅晶锭剥离设备的量产。
12月21日，深圳爱仕特科技有限公司 (以下简称“爱仕特”)宣布2022年研发的“1700V碳化硅功率模块”已经实现产业化，这是我国市场上国内量产的首款高性能碳化硅功率模块，填补了国内相关半导体分立器件制造的部分空白，且产品已通过欧洲航空行业相关认证，并进入了欧洲航空制造业采购目录。
爱仕特成立于2017年12月，专注于从事 SiC MOS 芯片研发及功率模块生产，目前已量产650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级的SiC MOSFET和SiC功率模块，以及基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司产品多元化布局初步完成。
国盛电子前身为中电科55所材料研究室外延组，从上世纪八十年代开始从事外延材料的研发、产业化工作，2003年成立公司，专业从事硅材料、碳化硅、氮化镓等材料的研发、生产。2023年11月10日，国盛电子的外延材料产业基地宣布正式投产运行，项目一期投资19.3亿元，年产8-12英寸硅外延片456万片，年产6-8英寸化合物外延片12.6万片。
12月27日，长飞先进发布公司的2023年度大事记中提到了公司自研芯片的进展：12月长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiCSBD正式进入试产阶段，标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。
长飞光纤于2022年5月完成对芜湖启迪半导体有限公司及芜湖太赫兹工程中心有限公司的收购与整合，并将公司更名为安徽长飞先进半导体有限公司。当前，长飞已形成了从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局，拥有专业的SiC晶圆代工服务体系以及完整的650V-3300V SiC产品矩阵、自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。
13.晶能扩建车规 Si/SiC 产线、半桥模块项目开工
12月28日，吉利旗下功率半导体公司晶能微电子启动一期扩建项目的开工仪式，项目落地浙江温岭，计划投建一条车规级 Si/SiC器件先进封装产线，总投资超亿元，扩建总面积为5800㎡，预计2024年6月投产，年产超3.96亿颗单管产品。
12月29日秀洲生产基地开工建设，位于嘉兴国家高新区，一期项目包括投建一座6英寸FRD晶圆厂和60万套半桥模块生产线，占地95.4亩。
12月4日，Nexperia（安世半导体）宣布于近日推出其首款碳化硅（SiC)）MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 产品组合中首批发布的产品，随后 Nexperia 将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能 SiC MOSFET 的需求。
12月21日， 湖北九峰山实验室宣布实验室在碳化硅超结领域取得新进展：完成具有完全自主知识产权的碳化硅多级沟槽超结器件新结构设计，优化后的超结肖特基二极管可以实现2000V以上的耐压，比导通电阻低至0.997mΩ·c㎡，打破了碳化硅单极型器件的一维极限。同时该超结器件的多级沟槽刻蚀核心工艺研发也已完成。
此前8月1日，九峰山实验室宣布6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：聚焦 IGBT/SIC，202312期月报资讯汇总
