碳化硅陶瓷,此种是陶瓷材料中高温强度最好的一种,其抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷里最好的,因而被广泛的应用于各个工业领域。

无压烧结

碳化硅陶瓷反应烧结和无压烧结的区别

无压烧结被认为是最有希望的SiC烧结烧结方法。根据不同的烧结机理,无压烧结可分为固相烧结和液相烧结。通过在超细β-SiC粉末中同时添加适量的B和C(氧含量小于2%),将S. Proehazka在2020℃下烧结至密度高于98%的SiC烧结体。A.Mulla等人。使用Al2O3和Y2O3作为添加剂,在1850-1950℃烧结0.5μmβ-SiC(颗粒表面含有少量SiO2)。所得SiC陶瓷的相对密度大于理论密度的95%,并且晶粒尺寸小且平均尺寸。它是1.5微米。

反应烧结

碳化硅陶瓷反应烧结和无压烧结的区别

反应烧结碳化硅,又称自结合碳化硅,是指多孔钢坯与气相或液相反应,提高钢坯质量,减少气孔,并以一定的强度和尺寸精度烧结成品的过程。将α-SiC粉末与石墨按一定比例混合,加热到1650℃左右,形成方坯。同时,它通过气相Si渗透或渗透到钢坯中,与石墨反应生成β-SiC,结合现有的α-SiC颗粒。当Si完全渗入时,可以得到密度完全、尺寸无收缩的反应烧结体。与其它烧结工艺相比,致密过程中反应烧结的尺寸变化较小,可以制得尺寸精确的产品,但烧结体中大量SiC的存在使反应烧结SiC陶瓷的高温性能变差。

无压力烧结SiC陶瓷、热等静压烧结SiC陶瓷和反应烧结SiC陶瓷具有不同的性能。例如,在烧结密度和抗弯强度方面,SiC陶瓷的热压烧结和热等静压烧结相对较多,反应烧结SiC相对较低。另一方面,SiC陶瓷的力学性能随烧结助剂的变化而变化。SiC陶瓷的无压烧结、热压烧结和反应烧结具有较好的耐酸、耐碱性能,但反应烧结SiC陶瓷抗HF等超强酸腐蚀性能较差。当温度低于900℃时,几乎所有SiC陶瓷的抗弯强度都比高温烧结陶瓷大幅度提高,反应烧结SiC陶瓷的抗弯强度在超过1400℃时急剧下降。(这是由于一定量的游离Si,在烧结体上是由一定温度以上的弯曲强度急剧下降引起的。)对于无压力烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷,高温性能主要受添加剂种类的影响。

SiC陶瓷的这两种烧结方法各有优势。然而,在当今科学技术的飞速发展中,迫切需要提高SiC陶瓷的性能,不断改进制造工艺,降低生产成本,实现SiC陶瓷的低温烧结。为了降低能耗,降低生产成本,促进SiC陶瓷产品的产业化。

来源:格航真空

https://www.vacfurnace.cn/exhibition-news/1221.html

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推荐活动1:【邀请函】2024年半导体陶瓷产业论坛(2024年4月·泉州)

2024年半导体陶瓷产业论坛

The  Semiconductor Ceramics Industry Forum

2024年4月

泉州
主办单位:深圳市艾邦智造资讯有限公司
协办单位:福建华清电子材料科技有限公司
媒体支持:艾邦半导体网、艾邦陶瓷展、陶瓷科技视野

一、暂定议题




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暂定议题

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半导体设备及陶瓷零部件的现状及发展趋势

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半导体用高超精密陶瓷部件研制与应用

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第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板

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多孔陶瓷的研究进展及在半导体领域的应用

拟邀请多孔陶瓷企业/高校研究所

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LTCC技术在半导体晶圆探针卡中的应用

拟邀请探针卡企业/高校研究所

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CVD用绝缘高导热氮化铝陶瓷加热器的研发

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13

高纯氧化铝陶瓷制备工艺及其在半导体领域的应用

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14

真空钎焊设备在半导体领域的应用

拟邀请真空钎焊企业/高校研究所

15

高精度复杂形状碳化硅陶瓷制备工艺研究

拟邀请碳化硅陶瓷企业/高校研究所

16

半导体设备用陶瓷的成型工艺技术

拟邀请成型设备企业/高校研究所

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高强度氮化硅粉体制备工艺技术及产业化

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18

高性能氮化铝粉体连续式生产关键工艺技术

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作者 ab