近日，连城数控发布关于公司及全资子公司拟签署项目投资协议的公告称，拟与无锡市锡北镇人民政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，计划投资不超过人民币 10.50 亿元在无锡市投资建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地，即“第三代半导体设备研发制造项目”。
协议表明，该项目实施地点为无锡，建设规划用地100亩，分两期实施，每期50亩。同时本次对外投资的资金来源为公司及公司指定本项目投资主体的自有/自筹资金。
连城数控表示，此次项目投资符合公司整体发展战略规划，有利于进一步完善公司的产业布局，扩大公司生产能力，提升公司综合竞争力。
大连连城数控成立于2007年，是一家涵盖光伏、半导体行业高端装备研发制造和集成服务的专业化、集团化公司。项目主体连科半导体有限公司于2023年6月成立，注册资本1亿元，第三代半导体碳化硅合成炉国内市场占有率领先，碳化硅长晶炉国内市场占有率领先。
此外，连科半导体与清华大学签约合作大尺寸碳化硅电阻炉及外延炉项目，与中科院电工所合作大尺寸硅半导体单晶炉用超导磁场项目。
2023年3月21日，连城数控官微宣布，该公司半导体晶体事业部首次研制的液相法碳化硅长晶炉顺利下线，经检验各项性能达到预期目标。
2月10日，“锡山发布”消息称，连城凯克斯半导体高端装备研发制造项目启动奠基。报道称，此次奠基开工的为二期项目，总投资10亿元，主要建设碳化硅设备、单晶炉设备、光伏组件设备、ALD设备在内的研发组装一体化生产线，项目达产后预计可实现年销售15亿元、纳税1.3亿元以上。
-END-
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：10.5亿元！连城数控将建设SiC长晶基地