2月18日，据证券时报网消息，日本权威行业调研机构富士经济公布了《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告，围绕世界SiC/GaN的最新动向以及材料供不应求的情况展开了分析和预测。据报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的公司之一来自中国，天岳先进（SICC）超过高意（Coherent）跃居全球第二，仅次于连续多年保持市占率第一的Wolfspeed。尽管Wolfspeed位居榜首，但其市场份额正面临来自其他衬底公司的强力挑战，占比持续下滑。
报告进一步指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体保持坚挺。预计到2030年，SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，约占整体功率器件市场24%，到2035年，市场规模有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。为此，业内主要厂家都在积极进行扩建以及做好设备投资的准备，特别是中国企业，除满足本国需求外，开始不断扩张世界范围内的市场占有率。其中，特别值得关注的是衬底材料的市场表现。
在此背景下，天岳先进（688234.SH）作为国内领先的宽禁带半导体材料生产商，自2010年成立以来，已经在半绝缘型和导电型碳化硅半导体材料的研发、生产和销售领域取得了显著成就。据了解，天岳先进碳化硅半导体材料项目计划于2026年实现全面达产，届时6英寸导电型碳化硅衬底的年产能将达到30万片。目前该公司已实现6英寸导电型衬底、4-6英寸半绝缘型衬底等产品的规模化供应，并在2022年初公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底，2023年8月成功通过制备出业内首创的低缺陷密度8英寸晶体，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
根据报告分析，全球SiC衬底销售主要分布在日本（17.4%）、中国（24.4%）、北美（20%）、欧洲（29%）四大市场，其中欧洲已成为全球最大的SiC衬底市场。值得一提的是，天岳先进已与海内外多家知名企业签署了长期供应协议，如2022年与博世签署了导电型碳化硅衬底的长期供应协议，2023年5月与英飞凌签订了新的衬底和晶棒供应协议。此外，公司还在2022年7月和2023年8月分别与E、F两大客户签订了总额超过22亿元的长期销售框架协议，为其提供导电型碳化硅衬底产品，进一步扩大了其销售规模和市场影响力。
天岳先进在导电型碳化硅衬底产能和规模化供应能力上持续展现超预期成果。通过与英飞凌、博世集团的长期供应协议，在技术实力和规模化供应能力上展现突出优势，推动业绩快速增长。2023年5月，天岳先进上海临港智慧工厂的启用进一步加速了产能提升，显著扩大了销售规模。
长期以来，天岳先进专注于SiC衬底的技术积累，使其在产能和客户服务方面建立了独特的竞争优势。继半绝缘型碳化硅衬底市占率连续4年位居全球前三以来，其导电型衬底市场占有率显著提升至世界第二，也得益于长期的技术积累。此外，公司在8英寸碳化硅衬底产品领域的技术领先地位进一步证明了其作为宽禁带半导体材料研发和生产领域的前沿实力，展示了天岳先进在技术实力、产能规模化及市场扩张方面的综合竞争优势。
功率半导体行业在低碳化和电气化时代将继续获得蓬勃的发展动力，以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料和器件将继续成为这一领域关注的焦点。稳定的供应和质量保障成为占领市场高地的重要抓手，我们期待中国企业在世界半导体行业取得更耀眼的成绩。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：全球视野下的突破：天岳先进引领中国SiC衬底技术与市场领先之路
