2月26日，据“普兴电子”官网显示，旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目环评第一次公示更新。
据了解，该项目总投资35070.16万元，建筑面积约4000m²，购置SiC外延设备及配套设备116台(套)形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。
普兴电子从16年开始SiC的研发，19年实现了6寸SiC外延片的量产，21年中标国家工信部碳化硅外延产业化的项目。目前主要为1200V MOS产品，已通过车规级验证，应用在新能源车主驱模块上。
根据“石家庄发布”1月9日新闻报道，普兴电子正在加大SiC产能，布局第四代半导体材料研发。
总经理薛宏伟表示，目前普兴电子在全国硅外延功率器件方面做到全国最大，在SiC外延领域做到了全国前三，是国内发展的头部企业。下一步将加快发展，在8英寸SiC外延方面进行扩产，达到年产60万片6到8英寸SiC的产能。另外积极布局第四代半导体材料研发，做到研发一代、储备一代、生产一代。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：投资3.5亿！普兴电子年产24万片6英寸SiC外延片项目更新