● Al2O3 覆铜基板主要采用直接覆铜方法(Direct Bonded Copper,DBC)制备,其热导率低,散热能力有限,多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。
● AlN 覆铜基板主要采用具有更高可靠性的活性金属钎焊工艺(Active Metal Brazing,AMB),由于氮化铝 AMB覆铜基板具有较高的散热能力,从而适用于一些高功率、大电流的工作环境,但是由于机械强度相对较低,使得 AlN-AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限,限制了其应用范围。
1、Si3N4-AMB基板的制备工艺
2、Si3N4-AMB界面空洞的形成原因
①焊片工艺所用的银铜钛焊片在制备过程中容易出现活性元素Ti的氧化、偏析问题,导致成材率极低,焊接接头性能较差。
②对于焊膏工艺,在高真空中加热时有大量有机物挥发,导致钎焊界面不致密,出现较多空洞,使得基板在服役过程中易出现高压击穿、诱发裂纹的问题。
①原料表面质量:焊接前陶瓷和无氧铜表面的划痕、凹坑、氧化、有机污染的问题都会对焊料的润湿铺展造成负面影响,为钎焊界面带来了潜在的空洞风险。
②焊料印刷质量:大面积焊膏印刷过程中,较易出现焊膏漏印、印刷不均匀的问题,焊料熔化后一旦没有铺展覆盖这些漏印区域,就会直接导致空洞的形成。
③活性元素失活:AgCuTi焊膏中的活性元素Ti对氧十分敏感,高温钎焊过程中,往往要求真空度优于10-3Pa,若真空度无法满足焊接要求导致Ti氧化失活,焊料无法润湿Si3N4陶瓷表面,会造成大面积虚焊、漏焊等现象。
④焊膏挥发气体:钎焊过程中,焊膏中挥发出的气体会被助焊剂包裹形成气泡,此外助焊剂中的有机酸和金属氧化物反应也会产生气泡,随着反应的进行气泡逐渐变大,排出的气泡会在焊膏表面留下密密麻麻的气孔,而未排出的气泡同样会随着焊料熔化凝固的过程滞留在钎焊界面处,形成空洞。
3、降低Si3N4-AMB空洞率的措施
资料来源:
1.《银铜钛焊膏制备Si3N4陶瓷覆铜基板工艺》,李伸虎、吴懿平等;
2.《氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展》,李伸虎、吴懿平等;
3.《Si3N4覆铜基板的界面空洞控制技术》,张义政等;
推荐活动:【邀请函】2024年半导体陶瓷产业论坛(2024年4月12日·泉州)
The Semiconductor Ceramics Industry Forum
“功率半导体封装用DBC/AMB陶瓷衬板、半导体设备精密陶瓷部件”
福建省泉州市晋江市滨江路999号
序号 |
暂定议题 |
拟邀请企业 |
1 |
半导体设备中陶瓷零部件的应用现状与前景 |
清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 潘伟 教授 |
2 |
氮化铝基板和器件与半导体应用 |
华清电子 向其军 博士 |
3 |
先进陶瓷材料制备与智能化实验平台 |
北京科技大学 教授 白洋 |
4 |
高性能氮化铝和氧化铝粉体连续式生产关键工艺技术 |
中铝新材料 事业部总经理 吴春正 |
5 |
多孔陶瓷的研究进展及在半导体领域的应用 |
拟邀请多孔陶瓷企业/高校研究所 |
6 |
LTCC技术在半导体晶圆探针卡中的应用 |
拟邀请探针卡企业/高校研究所 |
7 |
CVD用绝缘高导热氮化铝陶瓷加热器的研发 |
拟邀请陶瓷加热盘企业/高校研究所 |
8 |
耐等离子腐蚀的氧化钇陶瓷的开发与应用 |
拟邀请氧化钇陶瓷企业/高校研究所 |
9 |
高强度高耐磨的氮化硅陶瓷材料的开发 |
拟邀请氮化硅陶瓷企业/高校研究所 |
10 |
碳化硅陶瓷结构件在集成电路制造关键装备中的应用 |
拟邀请碳化硅陶瓷企业/高校研究所 |
11 |
半导体装备用陶瓷静电卡盘关键技术 |
拟邀请静电卡盘企业/高校研究所 |
12 |
高纯氧化铝陶瓷制备工艺及其在半导体领域的应用 |
拟邀请氧化铝陶瓷企业/高校研究所 |
13 |
真空钎焊设备在半导体领域的应用 |
拟邀请真空钎焊企业/高校研究所 |
14 |
高精度复杂形状碳化硅陶瓷制备工艺研究 |
拟邀请碳化硅陶瓷企业/高校研究所 |
15 |
半导体设备用陶瓷的成型工艺技术 |
拟邀请成型设备企业/高校研究所 |
16 |
高强度氮化硅粉体制备工艺技术及产业化 |
拟邀请氮化硅粉体企业/高校研究所 |
17 |
第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板 |
拟邀请AMB企业/高校研究所 |
18 |
覆铜陶瓷基板的失效机理分析及可靠性设计 |
拟邀请陶瓷基板企业/高校研究所 |
19 |
特种陶瓷高温烧结工艺技术 |
拟邀请热工装备企业/高校研究所 |
20 |
半导体设备用陶瓷零部件表面处理技术 |
拟邀请表面处理/陶瓷零部件企业 |
演讲及赞助请联系李小姐:18124643204(同微信)
原文始发于微信公众号(艾邦陶瓷展):近“0”空洞率!AMB-Si3N4基板的活性钎焊技术
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