外延是指在碳化硅衬底的表面，生长出的一层质量更高的单晶材料，在导电型碳化硅衬底表面生长一层碳化硅外延层，称为同质外延；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延。
碳化硅晶体在生长过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，导致衬底材料的质量和性能都不够好，而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。目前几乎所有的器件都是在外延上实现的，因此外延的质量对器件的性能有着决定性的影响。
根据 CASA 统计，2022年SiC功率电子市场规模约为21亿美元，预计到 2027年SiC功率电子市场规模接近80亿美元，复合增长率为 30%。外延占碳化硅功率器件成本结构的 23%，价值量占比较高。
出于降本的需要，国内企业在6英寸碳化硅外延生长上已经实现逐步放量，并开始延展至对8英寸外延的研发投产。
报告内容如下：
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：2024年碳化硅（SiC）外延及供应商报告.ppt