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晶能微电子、扬杰电子、天睿半导体、韩国ASE、韩国HANS MACHINE、谱析光晶6家企业有相关项目签约；
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天域半导体、芯华睿、三安＆意法、丰正半导体、晶佰源、山东水发＆台湾某半导体、芯干线、重投天科、英特利、爱仕特等12家企业有相关项目进展；
1. 晶能微电子10亿SiC半桥模块项目签约
2. 天域半导体项目2号厂房封顶，预计5月试产
2月3日，广东天域半导体股份有限公司总部、生产制造中心和研发中心建设项目2号厂房于近日封顶，预计2024年5月试产。该项目位于东莞松山湖生态园，总投资达80亿元，将分二期建设，一期建设2号厂房，二期建设1、3号厂房。其中一期项目投资金额约为19.14亿元，将购置71台外延炉，搭建年产能约17万片的 6/8 英寸SiC外延片生产线，预计6英寸产能占比约90%，8英寸产能占比约 10%。
3. 扬杰科技SiC模块封装项目落地扬州
2月4日，江苏扬州维扬经济开发区集中签约7个先进制造业项目，总投资约58亿元。其中扬杰电子科技股份有限公司旗下的新能源车用IGBT、碳化硅（SiC）模块封装项目是签约项目之一。该项目总投资5亿元，主要从事车规级IGBT模块、SiC MOSFET模块的研发制造，全部建成投产后，可实现年开票销售5亿元，年纳税1500万元。
4. 爱仕特SiC模块交付海外、中标中电装SiC模块开发项目
2月3日，爱仕特宣布实现1200V MED系列碳化硅功率模块成功交付海外客户；实现650V MEP系列碳化硅功率模块的批量交付，该产品适用于太阳能系统和ESS应用的快速开关。
2月29日，中国电气装备集团科学技术研究院有限公司在其官网公布了“碳化硅模块封装设计与工艺开发技术服务项目”成交结果，爱仕特脱颖而出成功中标。此次中标，爱仕特将提供碳化硅功率模块封装设计与工艺开发技术服务，在项目工期内交付基于爱仕特1200V/1700V碳化硅芯片的 62mm封装定制开发功率模块。
5. 芯华睿微电子已全面步入试生产阶段
2月19日，东台日报透露江苏芯华睿微电子已全面步入试生产阶段。芯华睿新能源及车规功率半导体项目由上海芯华睿半导体科技投资建设，落地江苏东台高新区，聚焦Si、SiC车规级功率半导体研发生产。项目一期投资5亿元购置全自动设备、布局智能生产线和超声波设备检测线，拟于4月部分投产，全部建成达效后可年产汽车、光伏、工控功率模组产品200万只，其中包括塑封（SiC）模组为110万只等。
6. 天睿半导体8英寸GaN/SiC项目落地福州
2月20日，福建省福州市举行可持续发展暨企业家大会，长乐分会场成功签约13个项目，其中包括天睿半导体8英寸GaN/SiC项目。该项目将新建8英寸氮化镓和碳化硅晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。
7. 总投资超5000万美元，2个韩资半导体项目签约江苏
2月20日，苏州昆山巴城镇与韩国ASE株式会社及韩国HANS MACHINE株式会社举行项目签约仪式。两项目均为中园益泰（昆山）半导体产业园入园项目。
韩国ASE半导体项目计划总投资2000万美元，将涉及半导体清洗机、电力半导体碳化硅清洗机、刻蚀机、液晶清洗机的研发和生产等。项目达产后，预计实现年产值超5亿元。
韩国HANS MACHINE半导体项目计划总投资3000万美元，将涉及半导体自动化系统设备的研发、生产和制造等。项目达产后，预计实现年产值超6亿元。
8. 重庆三安意法SiC项目将年内提前2个月通线
2月20日，重科城微报透露三安意法半导体项目在春节期间不停工，建设取得快速进展，预计年内亮灯通线，将比原计划提前2个月。三安意法半导体项目，规划总投资约32亿美元。达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，在行业处于领先水平。目前，项目主厂房已经封顶，正在进行室内装修和设备采购。
9. 丰正半导体晶圆项目开工奠基
2月22日，浙江丰正半导体特色工艺晶圆制造项目在浙江丽水云和奠基。该项目为特色工艺晶圆制造，聚焦 6/8英寸碳化硅及氮化镓晶圆片，总投资额达51亿元，用地约130亩，共分2个阶段建设。
10. 谱析光晶年产10万台SiC芯片项目签约浙江瓜沥
2月24日，浙江省杭州市萧山区瓜沥镇举行推进新型工业化暨项目开工签约大会，会上新签约项目包含谱析光晶投资的年产10万台“第三代半导体芯片与系统生产基地项目”。该项目计划总投资1亿元，达产后预计年产值2亿元，税收贡献1000万元。
11. 晶佰源IGBT/SiC功率模块封测和5寸晶圆生产项目
2月26日，山东省枣庄市峄城举行2024年春季全区高质量发展重大项目建设现场推进会，其中包含晶佰源IGBT/SiC功率模块封装测试和5寸晶圆生产项目。该项目总5.8亿元，2024年计划投资1.2亿元，预计年产半导体电子元器件5000万件。
12. 山东半导体项目开工，二期建设GaN/SiC生产线
2月26日，山东省菏泽市牡丹区吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。该项目由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设，项目总投资35亿元，计划分两期实施。一期工程计划投资15亿元，建设4/6英寸砷化镓生产线。二期工程计划投资20亿元，建设4/6英寸第三代化合物半导体GaN/SiC生产线，主要生产功率半导体器件及耐高压新能源汽车逆变器，以满足多元化市场需求。二期工程计划2026年下半年开工建设，预计2028年上半年投产。
13. 普兴电子年产24万片6英寸SiC外延片项目更新
2月26日，普兴电子旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目环评第一次公示更新。该项目总投资35070.16万元，建筑面积约4000m²，购置SiC外延设备及配套设备116台(套)形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。
14. 芯干线第三代半导体芯片设计及智能功率模块封测项目
2月26日，江苏省盐城市建湖县县委调研建湖县重大项目推进情况，其中包括南京芯干线公司投资建设的第三代半导体芯片设计及智能功率模块封测项目。该项目一期购置各类设备约22台套，二期购置约135台套，项目全部投产后，可形成年产100万颗IPM智能功率模块产品的能力，可实现开票销售15亿元/年。据官网消息，江苏芯干线一期工厂已经在盐城市开始建设，预计2024年初会实现规模化量产，二期芯干线功率模块产业园建设也在进行中。
15. 重投天科第三代半导体项目正式启用
2月27日，由深圳市重投天科半导体有限公司建设运营的第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，总投资32.7亿元。该项目重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，2021年11月开工建设，2022年11月关键生产区域厂房结构封顶，2023年6月衬底产线正式进入试运行阶段，预计今年衬底和外延产能达25万片。
16. 英特利IGBT制氢整流器成功投运并顺利产氢
2月27日，英特利宣布自主研发的16kA IGBT千方级制氢整流器成功投运，这是迄今为止制氢行业投运的最大电流的IGBT整流器，也是英特利继国内首个最大单电解槽3000Nm3/h配套的晶闸管制氢整流器业绩后，在制氢行业IGBT整流器产品新的突破。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：热点追踪：202402期 IGBT/SiC项目16项最新进展