衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光,得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性,用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

签约、融资!南砂晶圆、科友等碳化硅衬底项目大动作

图  8英寸碳化硅衬底,来源:山西烁科

在碳化硅SiC半导体行业三个重点环节(衬底、外延和器件)中,衬底是SiC产业链的核心,不仅价值量占比最高,接近50%;而且技术壁垒最高。衬底行业的发展也是未来SiC产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

最近几日,各大企业纷纷签约、布局,驱动着碳化硅衬底产业链发展。 

南砂晶圆计划建设全国最大8英寸SiC衬底生产基地

3月20日,据“人民网”消息,南砂晶圆董事长王垚浩接受采访表示,公司正在积极扩产济南厂区,计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸碳化硅衬底生产基地,投资额15亿元,于2025年实现满产达产。

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王垚浩说道,“6英寸时代,我们跟上了市场;8英寸时代,我们正领先全国,并达到世界先进水平。”
南砂晶圆技术成果加速迭代,长晶与生产加工环节良率持续提升——2021年启动导电型衬底研发,2022年领先行业研发出8英寸衬底并完成主要下游客户验,2023年导电型衬底对部分客户进入批量供货阶段

在鲁信创投积极对接关键材料提供方及上下游供应商的助力下,南砂晶圆济南项目中高达99%的原材料、95%的主要生产设备将实现国产化,达到行业领先水平。

丽水云和县大尺寸碳化硅单晶衬底项目 

3月18日,浙江丽水云和县人民政府与上海百豪新材料公司、北京世宇企业管理有限公司签订大尺寸碳化硅单晶衬底产业化项目意向合作协议。

据企查查显示,百豪新材成立于2018年,是上海白克生物科技股份有限公司的全资子公司。另外百可生物在丽水开发区注册成立浙江百可半导体材料有限公司,规划半导体材料生产基地。

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值得一提的是,去年9月26日,云和县人民政府与深圳嘉力丰正投资发展有限公司签约的特色工艺晶圆制造项目在今年2月奠基,正持续推进。项目依托嘉力丰正的半导体材料前沿技术,在云和投资生产6英寸和8英寸的碳化硅、化晶圆片,共分2个阶段建设。(来源:集微网、丽水发布)

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科友半导体斩获欧洲2亿多SiC长订单

近日,据“科友半导体”官微宣布,成功拿下超2亿元的出口欧洲长订单之后,顺利通过“国际汽车特别工作组质量管理体系”(IATF16949)认证,获得进军国内新能源汽车芯片衬底百亿级规模市场“通行证”。

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科友首批8英寸碳化硅衬底

2023年9月,科友半导体衬底加工生产线建成;10月,首批8英寸碳化硅衬底下线;目前,年产能稳步扩充到数千片。科友半导体开发的8英寸碳化硅材料装备及工艺被中国电子学会组织的专家委员会评为“国内领先、国际先进水平”,是国内首家基于电阻式长晶炉制备获得8英寸碳化硅单晶的企业。截止到2023年12月底,科友半导体实现销售定单逾6亿元人民币,实现“当年投产即当年量产”。

科友表示,产品已经通过了客户的前期验证,正在进行长订单的生产排期,首批产品预计将于4月份交付。公司生产的8英寸产品良品率更高、综合成本更低,在国际市场具有一定的竞争力。
目前,科友半导体碳化硅衬底生产线已投产,其产品主要用于轨道交通、新能源汽车、智能电网、光伏发电领域的功率芯片上。经过加工生产线设备调试,实现6英寸衬底年产能5万片,其市场价格每片在4000元至6000元;8英寸衬底年产能约5000片,市场价格根据等级不同每片价格达到数万元不等。
安储科技完成Pre-A轮融资

近日,据“中科创星”官微消息,安储科技宣布已完成Pre-A轮融资,本轮融资由中科创星领投,天汇资本和张家港智慧创投跟投。资金将用于产能扩建与设备研发。

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安储科技成立于2020年,专注于先进电子材料研发、生产和销售,主营产品为配方型功能电子化学品(如抛光液、清洗液, 湿法刻蚀液, 光刻胶剥离液等)以及电子特气安全存储负压钢瓶两大产品系列。

在碳化硅衬底抛光液方面,目前Fujimi、Ferro、卡博特(Cabot)、圣戈班(Saint-Gobain)等国际厂商占据全球大部分市场,这些厂商普遍采用氧化铝作为研磨颗粒。

安储科技则采用金属氧化物作为研磨颗粒,其ACTL-WS系列抛光液不仅拥有较高的抛光速率,同时可获得低表面粗糙度,低缺陷的晶圆表面。而且抛光液可以循环使用,降低客户使用成本。

另外,碳化硅衬底抛光后机台抛光垫清洗液方面,「安储科技」开发的PK系列抛光后机台抛光垫清洗液可以有效的清洗抛光后残留物,清洗性能优异,清洗时间短,并可稀释使用,降低客户成本。

签约、融资!南砂晶圆、科友等碳化硅衬底项目大动作

 

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):签约、融资!南砂晶圆、科友等碳化硅衬底项目大动作

作者 li, meiyong