-
更宽的栅极驱动电压范围（-8~22V）
-
支持+15V，+18V驱动模式（可实现IGBT兼容：+18 V）
-
+18V模式对下，RDSon可降低20%
-
更好的RDSon温度稳定性
-
出色的阈值电压一致性
-
Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间
-
体二极管正向压降非常低且稳健性高
-
100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强
以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET