签约、封顶,这两家半导体设备项目最新进展

1.立研半导体项目签约江苏常州

4月29日,立研半导体常州产业基地启动暨半导体基金签约仪式举行。

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据了解,该项目是2024年江苏省重大项目,计划总投资1亿美元,总用地面积75亩,新建生产厂房、综合楼、半导体产业研究院及附属用房等,计划2025年竣工交付,项目达产后将实现年销售收入10亿元。据悉,该项目目标产品为半导体先进制程和检测精密设备,项目达产后将每年形成360台的生产规模,其中,晶圆清洗及抛光设备120台、晶圆减薄研磨设备120台、晶圆检测设备120台。

 

立研半导体常州产业基地项目投资方日本立川技研株式会社是集研发制造、技术服务为一体的专业半导体先进制程和检测精密设备制造企业,成功研发出了一系列高精密半导体设备,目前,公司已与日本松下、京瓷、SONY等国际知名厂商保持深入合作,与华为、中芯国际、有研等国内知名企业院所也保持长期稳定的合作关系。(来源:江苏武新建设)

 

2.拓荆科技半导体先进工艺装备项目封顶

近日,据“上海临港”消息,拓荆科技(上海)半导体先进工艺装备研发与产业化项目”主体钢结构全面完工,喜封金顶。
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本项目建筑面积约10万㎡,用于开发先进的ALD薄膜工艺技术及高产能设备平台,并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。

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HDPCVD设备

据了解,拓荆科技成立于2020年12月,是拓荆科技股份有限公司在临港设立的全资子公司。拓荆科技主要从事高端集成电路薄膜装备的研发、生产与销售,聚焦半导体薄膜沉积设备,是国内专用量产型PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD设备领军企业。经过十余年的耕耘,拓荆科技形成了多项核心技术,设备产品达到国际同类产品先进水平,并在集成电路领域实现了产业化应用,为促进我国集成电路产业的快速发展作出贡献。(来源:上海临港官微)

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推荐活动

碳化硅半导体加工技术创新产业论坛(苏州·7月4日)

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会议议题

序号
暂定议题
拟邀请企业
1
8英寸碳化硅衬底产业化进展
拟邀请碳化硅衬底企业/高校研究所
2
大尺寸碳化硅单晶生长技术痛点解析
拟邀请碳化硅单晶制备企业/高校研究所
3
新一代切片机“破局”8英寸碳化硅
拟邀请切割设备企业/高校研究所
4
激光技术在碳化硅切割及划片上的应用
拟邀请激光企业/高校研究所
5
液相法制备碳化硅技术
拟邀请碳化硅企业/高校研究所
6
国产MBE设备应用及发展情况
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所
7
SiC MOS器件结构设计解决方案
拟邀请碳化硅器件企业/高校研究所
8
车用碳化硅加工工艺与要点研究
拟邀请碳化硅加工企业/高校研究所
9
利用碳化钽的碳化硅单晶生长技术
拟邀请碳化硅企业/高校研究所
10
碳化硅衬底研磨抛光工艺及耗材技术
拟邀请研磨抛光设备企业/高校研究所
11
适用于8英寸碳化硅的先进切割工艺
拟邀请切割设备企业/高校研究所
12
化学机械抛光在碳化硅上的反应机理
拟邀请抛光设备企业/高校研究所
13
碳化硅衬底及外延缺陷检测技术
拟邀请检测设备企业/高校研究所
14
8英寸碳化硅外延材料生长核心工艺与关键装备
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所
15
外延掺杂技术的优化与改进
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所
16
8英寸碳化硅的氧化工艺技术
拟邀请碳化硅企业/高校研究所
17
碳化硅离子注入设备技术
拟邀请离子注入企业/高校研究所
18
高纯度碳化硅粉末制备碳化硅晶体
拟邀请激光企业/高校研究所
19
碳化硅先进清洗技术
拟邀请清洗设备企业/高校研究所
20
碳化硅关键装备的现状及国产化思考
拟邀请碳化硅设备企业/高校研究所
更多相关议题征集中,演讲及赞助请联系张小姐:13418617872 (同微信)
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02

拟邀企业

  • 高纯碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩埚、籽晶等材料企业;
  • 晶锭、衬底、外延、晶圆等产品企业;
  • 碳化硅晶体、外延生长等设备企业;
  • 金刚石线切割、砂浆线切割、激光切割等切割设备企业;
  • 碳化硅磨削、研磨、抛光和清洗及耗材等企业;
  • 检测、退火、减薄、沉积、离子注入等其他设备企业;
  • 高校、科研院所、行业机构等;
……

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报名方式

方式1:请加微信并发名片报名
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 肖小姐/Nico:13684953640
ab012@aibang.com
演讲或赞助联系 Elaine 张:134 1861 7872(同微信)
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方式2:长按二维码扫码在线登记报名
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04

收费标准

付款时间
1~2个人(单价每人)
3个人及以上(单价)
4月30日前
2600/人
2500/人
6月2日前
2700/人
2600/人
7月2日前
2800/人
2700/人
现场付款
3000/人
2800/人
费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。

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赞助方案

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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):签约、封顶,这两家半导体设备项目最新进展

作者 li, meiyong