金冠电气股份有限公司（证券代码：688517，证券简称：金冠电气）近日在业绩说明会上报告了其IGBT基板情况，金冠电气聚焦 IGBT 等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板、直接键合铜 DBC 和活性金属钎焊 AMB 覆铜基板产品研发，已完成常规氮化铝和氮化硅陶瓷基板以及直接键合铜 DBC 覆铜基板和活性金属钎焊 AMB 覆铜基板的研发。目前，正致力于蚀刻、化学镀、激光切割等后道工艺的研究。金冠电气将继续加大研发投入，研发高导热氮化铝陶瓷基板、硅粉氮化工艺制备氮化硅陶瓷基板等产品，进一步提升产品的性能和竞争力。
金冠电气2023年年度报告显示，凭借深圳研发中心毗邻市场、地处研发前沿的优势，金冠电气引进行业优秀人才，购置氮化铝和氮化硅陶瓷基板、DBC 覆铜和 AMB 覆铜等产品研发设备。陶瓷基板研发方面，氮化硅和氮化铝陶瓷基板样品达到设计目标，氮化铝基板热导率达 170W/(m·K)，抗弯强度达 350MPa，翘曲度小于 0.3%。氮化硅基板热导率达 70W/(m·K)，抗弯强度达 700MPa，翘曲度小于 0.3%，目前在进一步提高性能和降低成本。覆铜陶瓷基板方面，实验线已搭建，实验工艺已打通，有合格的直接键合铜 DBC 和活性金属钎焊 AMB 覆铜母板样品。氧化铝-DBC 覆铜基板，热循环次数大于 60 次，铜层拉拔力大于 5N/mm；氮化硅-AMB 覆铜基板，热循环次数大于 3000 次，铜层拉拔力大于 10N/mm，综合性能达国内一般水平，持续改进中。
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