5月27日，据“芯联集成”官微消息公布，芯联集成8英寸碳化硅工程批已于4月20日顺利下线。
根据芯联集成官微2024年5月23日消息，芯联集成的国内首条8英寸SiC晶圆研发线将于2024年二季度通线，应该就是这一条。
芯联集成是国内领先的具备车规级IGBT/SiC芯片及模组的代工企业，2023年芯联集成6英寸碳化硅晶圆厂出货规模已超过月产5000片，且出货量位列中国SiC MOS规模量产出货第一名。
芯联集成2024Q1业绩报告显示，营业收入13.53亿元，同比增长17.19%。其中SiC收入占比提升，SiC MOS实现最大规模出货，预计2024年收入超过10亿元。
近年来随着新能源汽车的热潮，其搭载的碳化硅也水涨船高。芯联集成自去年开始量产平面SiC MOS以来，实现了90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器。对于SiC晶圆厂如何降低成本，芯联集成总经理提出过将晶圆尺寸由6英寸升级为8英寸。
2024年5月21日，士兰微将在厦门投建8英寸碳化硅晶圆厂。该项目分两期建设，项目一期投资规模70亿元，二期投资规模约50亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
2023年6月7日三安光电与ST合资公司在重庆投建8英寸碳化硅晶圆厂。该项目作为中国首条、世界第三条碳化硅全产业链整合研发与制造平台总投资160亿元。目前，一期已经全线投产，碳化硅年产能已达到25万片（6吋）。二期将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。据湖南六建华西公司官微今年5月23日消息，目前二期项目已经全面封顶。
在碳化硅单晶片生长方面，生长过程复杂且成本较高，进而导致产能有限。国产8英寸SiC单晶生长项目的突破，也相对降低了一些碳化硅的成本。
2024年3月27日，科友半导体与俄罗斯N公司签约，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。在此之前，2022年12月科友通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8吋的碳化硅单晶，宣布首次跻身8英寸碳化硅行列，并于次年9月，首批自产8英寸SiC衬底下线。
2024年3月26日，济南市生态环境局公示了中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目环评文件的基本情况。根据公告，该项目项目总投资15亿元。主要进行碳化硅单晶生长和衬底加工生产，预计2025年实现满产达产。南砂晶圆向外表示，计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸碳化硅衬底生产基地。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：芯联集成8英寸SiC工程下线
